WWW.KONF.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Авторефераты, диссертации, конференции
 

Pages:   || 2 |

«РЕЗОНАНСНЫЕ ПРОЦЕССЫ ФОТОСТИМУЛИРОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО И ФТОРИРОВАННОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ...»

-- [ Страница 1 ] --

На правах рукописи

Миловзоров Дмитрий Евгеньевич

РЕЗОНАНСНЫЕ ПРОЦЕССЫ ФОТОСТИМУЛИРОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК

ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО И ФТОРИРОВАННОГО НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО

КРЕМНИЯ

Специальности: 01.04.10 физика полупроводников,

АВТОРЕФЕРАТ



диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва-2014

Работа выполнена в Рязанском государственном радиотехническом университете

Научный консультант: Вихров Сергей Павлович, доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты:

Моркович В.Н, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией Института проблемтехнологиимикроэлектроники и особо чистых материалов РАН;

Теруков Е.И., доктор технических наук, профессор, руководитель отдела Физикотехнического института им. А.Ф. Иоффе РАН;

Христофоров О.Б. доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Государственного научного центра Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований.

Ведущая организация: Институт общей и неорганической химии Российской академии наук.

Защита состоится «14» октября 2014 г. в 16 ч. 00 мин. в ауд. К-102А на заседании диссертационного совета Д 212.157.06 при ФГБОУ ВПО «НИУ «МЭИ» по адресу 111250, Москва, Красноказарменная ул., д. 14.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте ФГБОУ ВПО «НИУ «МЭИ» [URL:

http:\\www.mpei.ru]

Автореферат разослан «__» _________ 2014 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 212.157.06 Доктор технических наук, Профессор Мирошникова Ирина Николаевна

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы: Прогресс в области твердотельной электроники на кремнии в значительной мере стимулируется новыми материалами и физическими явлениями, имеющими размерную зависимость и квантовые свойства. Используемый в последние десятилетия микрокристаллический кремний, изготовленный на стекле используется для производства тонкопленочных транзисторов, но уступает по своим характеристикам монокристаллическому кремнию, имеющему высокую подвижность носителей (n~ 1500 см2/Вc), и его запрещенная зона не отличается от кремния (1.12 эВ). Другой материал – аморфный гидрогенизированный кремний содержит большое количество точечных дефектов, которые имеют тенденцию генерироваться под действием света. Подвижность аморфного кремния не превышает 1 см2/Bc, что создает трудности в использовании его для производства транзисторов. Ширина запрещенной зоны такого материала равна 1.78 эВ. Несомненно, что наноструктурная кристаллическая пленка сочетающая свойства кристалла кремния с варьируемой шириной запрещенной зоны и сравнительно высокую подвижность (200-300 см2/ Вс) носителей в материале - оптимальное решение такой проблемы. Примеси кислорода и фтора создают в электронной структуре материала уровни, которые обусловливают оптоэлектронные свойства материала. Поиск корреляций между структурными и электронными свойствами, квантово-размерным эффектом, возможен с помощью изучения резонансных фотостимулированных процессов в пленках кремния. Исследование оптических свойств нанокристаллов кремния проводились во многих исследовательских лабораториях. Однако, эти исследования недостаточны для пленок с нанокристаллами содержащих кислород и фтор в качестве примесей. Нет комплексных исследований касающихся природы спектральных характеристик полученных в результате фотолюминесцентных исследований, нелинейно-оптических спектральных характеристик, и даже спектров Рамановского рассеяния нанокристаллических структур. Однако, эта задачи остаются актуальными, например, для волоконной оптики, при создании тонкопленочных транзисторов на полимерной подложки и на стекле для экранов дисплеев, и для разработки приборов - электронных компонент компьютера, таких как устройства памяти, арифметикологические устройства и устройства обмена информацией. Несмотря на большое количество работ эта проблема является недостаточно изученной. Это связано с тем, что технология изготовления нанокристаллических пленок кремния несовершенна и их физические свойства зависят также и от точечных дефектов, которые исследовались ранее только в технологии получения чистого кристаллического кремния. В связи с этим возникла необходимость изучения квантово-размерных объектов в пленке кремния и анализ всех спектральных характеристик, и их корреляции со структурными свойствами и химическим составом тонкой пленки, толщиной менее 1 мкм.





Соединения оксида кремния используются в волоконно-оптических системах связи. При их использовании на значительные расстояния (100-1000 км) возникают потери связанные с возникновением нелинейно-оптического преобразования частоты, смешения частоты. Для снижения таких потерь в работе уделено внимание экспериментальным исследованиям процессов фторирования и использования фторированного тонкопленочного кремния для производства оптического волоконного волновода. Актуальной задачей является разработка технологии позволяющей изготавливать материал при низких затратах энергии, который существенно снизит потери при передаче информации.

Резонансные процессы фотостимулированного излучения пленок нанокристаллического кремния содержащих в химическом соединении примеси фтора и кислорода позволяют определить электронную структуру материала, корреляцию его оптических, структурных и химических свойств, изучить роль дефектов во фторированных и оксидированных пленках, а также разработать приборы оптоэлектроники основанные на оптических переходах, как прямых так и непрямых, в запрещенной зоне кремния. Другим применением является разработка оптических лазерных систем для волоконно-оптической связи, позволяющих передавать информацию на далекие расстояния с высокой скоростью.

Целью диссертационной работы является изучение резонансных процессов фотостимулированного излучения оксидированных и фторированных нанокристаллических пленок кремния с превалирующей кристаллической фазой и средним размером кристаллов 10± нм для создания оптоэлектронных приборов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка технологии нанокристалических пленок кремния со средним размером кристалла менее 10 нм. Разработка технологии осаждения пленок гидрогенизированного кремния из газовой смеси силана, разбавленного водородом и тетрафторидом кремния.

2. Исследование механизма формирования полностью кристаллической пленки на стеклянной подложке при низких температурах (от 40oC до 350оС) подложки.

3. Теоретическое и экспериментальное изучение электрических характеристик пленок нанокристаллического кремния для создания приборов электроники и их диагностики.

Исследование механизма формирования нанокристаллической пленки кремния со стабильными параметрами к внешним воздействиям, а именно, нагреванию, действию внешних электрических полей, химическому воздействию и лазерному излучению.

4. Проведение спектроскопических исследований корреляции структурных, химических и оптических свойств пленок нанокристаллического кремния с высоким содержанием кристаллической фазы.

5. Разработка теоретической модели резонансного фотостимулированного излучения цепочкой двухуровневых систем с резонансным обменом электронами при воздействии электромагнитного поля лазерного излучения.

6. Исследования влияния точечных дефектов на фотостимулированные процессы в пленках нанокристаллического кремния. Разработка теоретической модели точечного дефекта формирующегося на поверхности нанокристаллов в присутствии атома примеси - кислорода.

7. Проведение нелинейно-оптических спектральных исследований для определения электронной структуры поверхности и объема оксидированных и фторированных кристаллов кремния методом генерации второй гармоники в пленках наноструктурного кремния.

8. Разработка оптоэлектронных и электронных приборов на основе пленок нанокристаллического кремния, в частности, тонкопленочного полевого транзистора, устройства памяти, устройства записи информации, нелинейно-оптический переключателя, лазера.

Достоверность и обоснованность результатов обеспечены получением информации о каждом изготовленном материале с использованием различных спектроскопических методов исследований, включая методы Рамановской спектроскопии, лазерной пикосекундной спектроскопии, рентгеновской диффрактометрии, фотолюминесценции, ИК Фурье спектроскопии, оптической спектрофотометрии, нелинейно-оптической спектроскопии, спектроскопии электронно-парамагнитного резонанса, а также данных полученных с использованием разных микроскопических методов, таких как оптическая микроскопия, атомносиловая микроскопия и сканирующая электронная микроскопия, электрофизических измерений кривых Арениуса для проводимости, вольт-амперных и вольт-оммных характеристик, спектральных характеристик тока, метода профилометрии, фотопроводимости, а также сопоставлением экспериментальных данных и поиском корреляций между оптическими, структурными и химическими свойствами материала для определения его электронной структуры. Также производилось сравнение полученных результатов с результатами других научных работ и теоретическими моделями.

Научная новизна.

1. Разработан неразрушающий зкспрессный метод определения ширины запрещенной зоны поликристаллической пленки кремния с использованием лазерной пикосекундной спектроскопии. В качестве реперных точек использованы значения ширин запрещенных зон монокристаллического (Еbg=1.12 эВ) и аморфного кремния (Ebg=1.78 эВ).

2. Разработан способ измерения количества водородных связей в измерениях ИК Фурьеспектроскопии при измерении тонких пленок кремния содержащих водород, кислород и фтор, основанный на модели транспорта заряда, позволяющий оценить количества водородных связей в различных молекулярных соединениях в пленке.

3. Впервые обнаружен эффект квантовой интерференции интенсивности излучения близко расположенных возбужденных уровней в пленках нанокристаллического кремния и поверхности кремния с ориентацией (111). На основе экспериментальных результатов проведена оценка ширин уровней и зазоров между уровнями: для пленки гидрогенизированного нанокристаллического кремния со средним размером нанокристаллов 9.7 нм ширина уровня составляет 7.2 мкэВ и промежуток 12 мкэВ, что отличается от монокристаллического кремния (111), у которого ширина уровня составляет 6 мкэВ при промежутке между уровнями 7.2 мкэВ, Предложена модель фотостимулированного резонансного взаимодействия с точечными дефектами (А центрами) в кремнии и квантовых биений уровней образованных за счет присутствия дефектов в пленке, которые появляются в запрещенной зоне кремния вблизи дна зоны проводимости.

4. Впервые обнаружен резонансный эффект генерации второй гармоники (ГВГ) излучения пленками гидрогенизированного наноструктурного кремния и тонкая структура спектра генерации второй гармоники поверхности кремния с ориентацией (111) образованная за счет расщепления уровней в присутствии примесных атомов кислорода на поверхности, позволяющие объяснить электронную структуру тонкопленочного кремния вблизи дна зоны проводимости и вершины валентной зоны для ориентации кристаллического кремния (111).

5. Установлено, что спектр резонансной второй гармоники пленки фторированного нанокристаллического кремния содержал резонансные пики с энергиями 3.20 эВ что соответствует резонансному переходу Г25’Г15 в кремнии и 3.32 эВ, тогда как спектр второй гармоники пленки оксидированного нанокристаллического кремния содержал пики при значениях энергии 3.26 эВ, что соответствует дефектному уровню образованному за счет внедрение атомов кислорода в кремний, и 3.36 эВ, что соответствует резонансному переходу в поверхности кремния (111) L3’L1 с энергией Е=3.40 эВ. и спин-орбитальному расщеплению уровней на краях зон равном 0.04 эВ. При резонансной и нерезонансной ГВГ, а также фотолюминесценции интенсивность сигнала для оксидированной пленки нанокристаллического кремния в 2 раза превосходила интенсивность сигналов с пленки фторированного нанокристаллического кремния. Исследован экспериментально процесс поглощения поляризованного излучения и порога разрушения пленки кремния.

6. Впервые обнаружен электроакустооптический эффект в нанокристаллических пленках кремния и поверхности кремния при Рамановском рассеянии лазерного излучения и приложенном электрическом внешнем поле напряженностью до 60 В/cм, позволяющий разрабатывать приборы волоконно-оптических системах связи.

7. Установлено, что электрическое поле напряженностью до 60 В/cм влияет на структурные свойства пленки кремния нанесенной на буферный слой оксида церия, также как и на пленки кремния, на поверхность которых нанесены атомы Pt методом магнетронного распыления, и пленки кремния, на поверхность которых был нанесен раствор хлорида родия.

Экспериментально показана возможность управлением содержанием кристаллической фазы в пленке кремния с помощью приложенного электрического поля.

8. Показано, что при низкотемпературном синтезе нанокристаллической пленки кремния при использовании смеси газов силана, водорода и тетрафторида кремния при температурных режимах менее 100 оС, более 100 оС но менее 300 оС и более 300 оС преобладающая кристаллическая фаза с ориентацией нанокристаллов (111) может образовываться при низких температурах (менее 300 оС), а также что рост концентрации водорода в реакторе приводит к пассивированию разорванных связей и уменьшению размера нанокристаллов. Установлено, что снижение температуры подложки приводит к уменьшению размера нанокристаллов, а образованные пленки кремния в результате травления при использовании тетрафторида кремния имеют большую однородность, но могут содержать многоатомные молекулярные соединения, которые при более высоких температурах удаляются в результате десорбции. Впервые методом вакуумно-плазменного осаждения из газовой фазы получена кристаллическая пленка на стекле с высоким содержанием кристаллической фазы (более 80 %) и на порядок меньшей концентрацией примесей в кремнии, чем в пленках изготовленных традиционным методом плазмостимулированного осаждения кремния в вакууме с использованием силана, технология изготовления которой использует наноструктурные свойства кремния, в частности отношение поверхность/объем при его кристаллизации.

9. Предложена модель лазера с оптической накачкой на пленках наноструктурированного кремния с оксидированным активным слоем кремния с ориентацией нанокристаллов (111) и дефектным уровнем А центра в запрещенной зоне кремния, позволяющая определить режимы генерации лазера. Полученные экспериментальные результаты для одного прохождения пленки лучом лазера накачки позволяют утверждать о возможности построения такого тонкопленочного лазера в активном слое которого будет осуществляться накачка инверсной населенности уровней, как за счет поглощения излучения, так и за счет процесса диффузии носителей под действием поля лазерного излучения. Проведены расчеты режимов возникновения генерации под действием лазерного излучения при наличии дефектных уровней в запрещенной зоне кремния обусловленных внедрением атомов кислорода и фтора. Показано, что при определенных параметрах поля и структурных параметрах пленки кремния таких как размер нанокристаллов, доля нанокристаллической фазы, плотность кислородных связей может возникать режим генерации при оптических переходах с дефектных уровней в основное состояние.

Основные положения выносимые на защиту:

1. При облучении пленки гидрогенизированного наноструктурного кремния лазерным излучением в области видимого диапазона длин волн возникает генерация второй гармоники обусловленная наличием резонансных переходов в электронной структуре кремния и его поверхности, а также за счет присутствия в запрещенной зоне примесных (Ес-0.14 эВ для Si-O и Ес-0.1 эВ для Si-F) и дефектных уровней (Ес-0.18 эВ для А центра, Еv+0.13 эВ для дефекта V++, Еv+0.05 эВ для дефекта V+ ), которые при температурах менее 400оС содержатся в пленках кремния и образуются за счет присутствия в пленке примеси кислорода и вакансий атомов кремния.

2. Интенсивность излучения при генерации второй гармоники излучения имеет резонансный и квантово-размерный характер (~1/r6) при совпадении частоты излучения с собственными частотами осцилляторов присутствующих в пленке гидрогенизированного наноструктурного кремния в отличие от поверхности монокристаллического кремния.

3. Фотолюминесценция пленки гидрогенизированного наноструктурного кремния имеет максимумы в спектральных диапазонах от 1.6 эВ до 1.84 эВ для межзонных непрямых переходов в гидрогенизированном кремнии, обусловленные квантово-размерным эффектом (~1/r1/3) нанокристаллов кремния в пленке и спектральные максимумы в диапазоне от 2.2 эВ до 2.4 эВ обусловленные переходами для поверхностных и дефектных состояний кремния.

4. Технология изготовления пленок гидрогенизированного нанокристаллического кремния с размерами нанокристаллов в диапазоне 10±2 нм с различной объемной долей кристаллов от 30% до 80 %, основанная на вакуумно-плазменном осаждении кремния из газовой фазы при низких температурах (от 60оС до 350 оС) с использованием смеси газов силана, разбавленного водородом и тетрафторида кремния.

5. Эффект памяти кристаллической фазы в пленках гидрогенизированного нанокристаллического кремния приготовленных на буферном слое оксида церия напыленного на подложку стекла обусловлен наличием диполей Si-O связей внутри пленки, которые под действием внешнего электрического поля перестраиваются таким образом, чтобы компенсировать внешнее поле, а также за счет электромиграции атомов кислорода и поляризации пленки оксида церия приводящих к образованию объемного заряда внутри тонкой пленки кремния.

6. Квантовые биения (с частотой 10 ТГц) интенсивности излучения с поверхности пленки нанокристаллического кремния отраженного от неё за счет релаксации неравновесных носителей с дефектного уровня вблизи дна зоны проводимости (Ес-0.18 эВ) в запрещенной зоне кремния возникают в связи с квантовой интерференцией интенсивности излучения с близко (менее 12 мкэВ) расположенных уровней с различными ширинами в диапазоне от 7 мкэВ до 16 мкэВ.

7. Электроакустический эффект на поверхности кремния (111) и в пленках нанокристаллического кремния возникает за счет изменения энергии фононов под действием электрического поля в пределах 1 мэВ.

8. Интенсивность излучения фотолюминесценции и генерации второй гармоники пленками гидрогенизированного нанокристаллического кремния содержащими только примесь – атомы фтора в 2 раза меньше по величине чем интенсивность излучения фотолюминесценции и генерации второй гармоники пленками, содержащими только атомы кислорода.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

1. Предложен новый материал – тонкопленочный нанокристаллический кремний и разработана технология его изготовления основанная на сочетании высокого водородного разбавления силана с низкой температурой роста нанокристаллов и травлением осажденного материала, приводящего к повышению однородности пленки (патент РФ №2227343).

2. Разработана технология тонких (менее 100 нм) пленок кремния нанесенных на подложку стекла с малым содержанием точечных дефектов, заключающаяся в сочетании осаждения кремния из газовой фазы с высокой температурой подложки и высокой степени однородности пленки, которая изготавливалась микроструктурированно, что обусловливало уменьшение в пленке точечных дефектов (патент РФ №2333567).

3. Разработан квантовый прибор высокой частоты на основе квантовых биений интенсивностей излучения с близко расположенных уровней вблизи дна зоны проводимости, которые используя эффект квантовой интерференции интенсивности излучения с двух близко расположенных друг к другу уровней позволяют осуществлять высокочастотные модуляции интенсивности излучения с частотой 1010 Гц лазерного излучения с частотой 1014 Гц и осуществлять переключения его компонентов. (патенты РФ № 2226306 и №2269182.

Загрузка...

4. Разработано устройство памяти (патент №2402107) на основе нанокристаллической пленки кремния нанесенной на буферный слой оксида церия. Использование наноструктурного тонкого слоя кристаллического оксида церия обладающего такой же постоянной решетки, что и кремний, позволяет при наложении внешних электрических полей разрушать и восоздавать кристаллическую фазу, которая методом Рамановского рассеяния света может быть легко считываема и идентифицирована.

5. Определены технологические параметры образования стабильной наноструктурированной пленки кремния устойчивой к воздействию света, электрического поля и химических соединений, которая изготовлена при температурах роста менее 400оС, имеет низкую (на порядок величины) концентрацию примесей и дефектов.

6. Разработан технологический процесс изготовления полностью кристаллической пленки кремния с ориентацией (111) нанесенной на подложку стекла для изготовления тонкопленочных транзисторов, которая первоначально имеет наноструктурированные зерна кристаллов растворенные в водороде, отношение размеров площади поверхности к объему нанокристалла, которое позволяют реализовать однородный по поверхности пленки и монотонный рост кристаллической фазы,

7. Определены нелинейные характеристики ВАХ в диапазоне 0-10 В пленок нанокристаллического кремния нанесенного на слой оксида церия пригодные для разработки варакторов, которые обусловлены существованием объемного заряда в пленке кремния и электродиффузией атомов кислорода в слое оксида церия.

8. Изучены спектральные характеристики пленок оксидированного кремния имеющих широкую полосу поглощения во всем видимом диапазоне позволяющем использовать материал для изготовления солнечных батарей в качестве рабочего слоя тандемной батареи спектр поглощения которой увеличивается в сторону видимого света от значения энергий фотона 1.12 эВ до энергий фотонов видимого света равных 2.12 эВ.

9. Разработана схема лазера на основе пленки нанокристаллического кремния для волоконно-оптической связи, позволяющая в тонкопленочном активном слое нанокристаллического кремния получить генерацию излучения на основной и второй гармонике при оптической накачке излучением лазера за счет квантовых процессов генерации когерентного излучения.

10. Предложена схема электроакустического переключателя излучения лазера основанная на использовании качестве активного элемента тонкой пленки нанокристаллического кремния, которая позволяет варьировать интенсивность рассеянного излучения в энергетическом зазоре в 1 мэВ при приложенном внешнем электрическом поле.

11. Разработаны схемы нелинейно-оптический переключателя и оптоэлектронного прибора для волоконной оптики на основе пленок оксидированного и фторированного кремния.

Разработанная технология нанокристаллического кремния для солнечных батарей награждена золотой медалью на Международном Салоне Инноваций и Инвестиций Министерства Образования и Науки Российской Федерации (г. Москва, ВВЦ 2009).

Публикации:

Материалы исследований представленных в диссертации опубликованы в 72 научных публикациях: в том числе в 30 статьях в научных реферируемых журналах и книгах, в 34 публикациях в материалах международных научных конференций и симпозиумах, а также в 6 патентах РФ и 2 патентах Южной Кореи.

Личный вклад. Автору принадлежит постановка задач исследований, обоснование методов исследований, непосредственное выполнение почти всех экспериментов, всех расчетов, систематизация и анализ результатов.

Автору принадлежат единолично также и все патенты на изобретения материалов и технологий. Исследования пленок кремния проводились с 1997 года по 2011 год в рамках работы в 1997-1998 гг. в университете г. Каназавы (Япония), в рамках работы в ИРЭ РАН с 1996 г по 1998 г., работы в научно-исследовательском институте RIKEN (Япония) с 1998 года по 1999 год, во время работы в МГУ в 1999-2000гг., в во время работы доцентом в МЭИ (ТУ) на кафедре физики в 2000-2001 гг., во время работы во ФТИ РАН с 2002 года по 2004 год, в рамках работы ЦЕНИ ИОФ РАН отделения термографии в 2005-2006 гг., в рамках работы в ООО «Флуэнс Технолоджи Групп» с 2006 года по 2007 год, и с 2008 по 201 год.

Апробация работы:

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на следующих научных конференциях, симпозиумах и семинарах: IX Международная конференция «Кремний 2012» 9-13 июля 2012 г., Санкт-Петербург, "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" VIII Международная конференция, 2-5 июля 2012 г, Санкт-Петербург, «Технология нанокристаллического кремния для солнечных батарей», IX Московский международный салон инвестиций и инноваций, Москва, ВВЦ, 2009 г.; VIII Форум «Интеллектуальная собственность Восточного административного округа г. Москвы», г. Москва, 2009; Международная конференция по Нанонауке и Нанотехнологии ICONN 2008 Australia, г.

Мельбурн; “Тонкопленочный транзистор на нанокристаллическом кремнии”, 11й международный семинар, Российские технологии для индустрии, Нанотехнологии в электронике, энергетике, экологии и медицине, Физ. Тех. институт им. А.Ф. Иоффе, 20-23 Ноября 2007 г., Санкт-Петербург; конференция Кремний 2007, МИСИС, Москва; 5й Международный Симпозиум по Дисплеям (IMID), Сеул, Южная Корея, 19 июля 2005 г.;

Международная конференция “Тонкие пленки и наноструктуры” 7-10 Сентября 2004 г. Москва, МИРЭА; Международная конференция “Интерматик” 7-10 Сентября 2004 г. Москва, МИРЭА;

Международная конференция по Микро- и наноэлектронике, Звенигород МО, 6-10 октября 2003 г.; 197-ая международная конференция Электрохимического общества Америки, Гонолулу, Гавайи, США, 22-29 октября 1999 г.; конференции общества прикладной физики Японии март 1998; конференция Университета г.Каназавы, 1999, г. Каназава, Япония; конференции общества прикладной физики Японии, Окинава 1998, Международный вакуумный конгресс Бирмингем, Великобритания, 1998; Международный корпоративный семинар японской государственной научно-исследовательской корпорации; февраль 1995, Токио, Япония; Международной конференции по взаимодействия ионных пучков с поверхностью твердого тела, г.Звенигород МО, 1994.

Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и выводов. Материал изложен на 448 страницах. Включает 279 рисунков, 240 формул и список цитированной литературы из 293 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цели работы, показана научная новизна и практическая значимость результатов, представлены основные положения выносимые на защиту.

Первая глава содержит результаты технологических исследований изготовления пленок нанокристаллического гидрогенизированного кремния.

В первом разделе первой главы представлена стратегическая концепция технологических исследований. Представлены результаты исследований технологических процессов роста пленок нанокристаллического кремния с использованием ваккумно-плазменного осаждения кремния из газовой фазы смеси силана, водорода и терафторида кремния при низких температурах осаждения. Технологические процессы исследовались при 75 различных условиях осаждения пленок с использованием более 200 экспериментальных образцов пленок нанесенных на стеклянную, кварцевую и кремниевую подложки. Скорость роста пленки кремния при температурах 40оС-350оС составляла десятки нанометров в минуту. Толщина пленок кремния определялась с помощью профилометра и находилась в диапазоне от 300 нм до 1 мкм. Мощность ВЧ индуктора при частоте 13.56 MГц варьировалась в диапазоне от 20 Вт до 100 Вт. Осаждение кремния путем пиролиза моносилана впервые использовалось для выращивания пленок кремния в 1963 году Джойсом и Брэдли, а также Клейном, Кресселом, Бхолой, и Майером [1]. Предложен новый материал – нанокристаллический кремний, обладающий квантово-размерными свойствами, отличными от микрокристаллического кремния, и высокой стабильностью по сравнению с аморфным кремнием за счет наноструктурированного однородного распределения дефектов в материале и высокого значения поверхность/объем. Разработана технология изготовления тонкопленочного нанокристаллического кремния, основанная на сочетании высокого водородного разбавления силана с низкой температурой роста нанокристаллов и травлением осажденного материала, приводящего к повышению однородности пленки.

Химические реакции протекающие при низких температурах на поверхности образца следующие (Т300oC): разложения молекулы силана, а именно, SiH4SiH2+H2 ; SiH2SiH+SiH;

SiH+SiHSi+2H2; образования силоксеновых и силоноловых связей: SiH4+2H2OSiO2+2H2;

SiOH+SiOHSiOSi+H2O; Si+2H2OSiO2+2H2 ; разложения молекулы тетрафторида кремния:

2H2+SiF4Si+4HF; образования силоксанов: 4HF+2SiO2H4SiO4+SiF2+F2 ; фтороводородистых соединений кремния 3SiF4+2H2O2H2SiF6+SiO2(gel); образование окислов кремния при разложении силоксанов (SiO2)x-1+H4SiO4(SiO2)x+2H2O; и образование фторидных и дифторидных связей кремния Si+SiFSiF+SiF; Si+SiF42SiF2.

Определены технологические режимы позволяющие получить пленки нанокристаллического кремния со значительными параметрами фотолюминесценции, нелинейного отклика и стабильными электрофизическими характеристиками. Показано, что в кремниевой пленке фтор может соединяется с кремнием с образованием молекулярных соединений, радикалы которых определяются методом Фурье ИК спектроскопии, как при низких температурах (100-180 оС), так и при более высоких температурах (более 300oC), которые при сравнительно высокой температуре подложки десорбируются с поверхности пленки.

Отмечено, что при низких температурах роста пленки количество связей Si-F пропорционально скорости натекания газа SiF4. Показано, что средний размер нанокристалла с ориентациями (111) или (220) уменьшается с возрастанием концентрации в реакторе водорода. Концентрации связей Si-H и Si-F определялись при различных значениях скоростей натекания газов H2 и SiF4 в электрохимический реактор. Определено, что при температурах сравнительно низких (менее 100оС) возрастании скорости натекания [SiF4 ] плотность связей SiH возрастала, плотность дигидридных связей возрастала, а гидридных уменьшалась, интенсивность поглощения на спектральной линии соответствующей осцилляторам SiF связи возрастала. Обнаружено, что при изготовлении пленок кремния содержащих нанокристаллы их фотолюминесценция зависит от распределения по размерам кристаллов и степени водородного насыщения разорванных связей.

При низких температурах (100оС) и высоких значениях отношения скоростей натекания водорода от [SiH4]/[H2]=0.01 до 0.1 создаются пленки кремния с малыми размерами нанокристаллов (см. фотографии на Рис 1), но с широким распределением по их размерам в пленке. При повышении температуры распределение по размерам суживается при определенном среднем размере, что может найти применение в производстве светоизлучающих устройств.

Рис. 1. Фотографии выполненные с помощью атомно-силовой микроскопии пленок нанокристаллического кремния изготовленных при: Т=120оС- (а); T=60oC- (б).

При температурах более высоких (300оС) отмечено появление химических реакций связанных с образованием гидрофторидов кремния (таких как кремний-фтор-водородистая кислота H2SiF6), что подтверждается наличием радикала в пленке SiF5- и ортокремниевая кислота (H4SiO4).

имеющая радикалы Si-O3, которые измерялись методом Фурье ИК спектроскопии (см. Рис.2). Образование H2SiF6 происходит только при определенном соотношении скоростей натекания газов SiF4:H2. При этом образованные молекулы воды испаряются. Такой процесс отмечен минимумом содержания Si-F связей при H2 :SiF4 =160 и при H2 :SiF4 = 123. Отмечается, что при увеличении скорости натекания водорода наблюдается резкое уменьшение размера нанокристаллов кремния. Плавиковая кислота эффективно травит поверхность кремния при температуре Td=100oC. При увеличении скорости натекания газа SiF4 можно менять отношение H2 :SiF4 и синтезировать внутри пленки соединение H2SiF6. Поэтому, при значениях H2 :SiF4 =160 и H2 :SiF4 = 123 процесс травления слабо протекает. При минимальном значении H2 :SiF4 = 80…92 происходит эффективное травление и значительное (многократное) снижение среднего размера нанокристаллов до 7.5—8.5 нм. Предполагается, что существует два возможных механизма удаления фтора: первый механизм- объединение с водородом и образование плавиковой кислоты, второй – образование кремний-фторводородистой кислоты при H2SiF6 при температуре менее 300oC.

2,0

–  –  –

0,2 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5

–  –  –

Рис. 2. Фотография выполненные с помощью атомно-силовой микроскопии пленок нанокристаллического кремния (a) и интенсивность спектральной линии ИК поглощения соответствующей Si-F связи как функции скорости натекания тетрафторида кремния при T=300oC (б).

Изучены технологические режимы изготовления пленок нанокристаллического кремния при низких температурах с контролируемым значением параметров фотолюминесценции в спектральном диапазоне от 1.58 эВ до 1.83 эВ.

Проведено физическое моделирование процесса кристаллизации пленки нанокристалличенского кремния с использованием кристаллизации тонкой пленки кремния (100нм) кристаллизованной методом метало-индуцированной кристаллизации аморфной пленки кремния при температурах в диапазоне 650-750 оС с использованием распыленных частиц никеля. Проведен расчет размеров кристаллов и гауссовой статистической гипотезы по двум перпендикулярным направлениям. Выявлены закономерности роста кристаллической пленки с высоким структурным совершенством без границ раздела. Использовалось экспериментальное исследование образование микрокристаллов с оптимальным отношением размера кристалла к его площади, которое служило аналогом для изучения образования нанокристаллов с определенным отношением поверхность/объем в пленке кремния.

Во второй главе нанокристаллические пленки кремния исследовались методами оптической спектроскопии и микроскопии, рентгеновской дифрактометрии, атомно-силовой микроскопии, электронной микроскопии, лазерной пикосекундной спектроскопии и Рамановской спектроскопии, фотолюменсцентных исследований для определения технологических условий приготовления пленок высокого совершенства и удовлетворяющих техническим требованиям к материалам для различных приборов электроники. Фурье-спектроскопические исследования пленок кремния проводились в области 400 см-1-4000 см-1. Определялись концентрации связей

Si-H в соответствии с предложенной формулой:

–  –  –

AH 2 Si(Si)2 I H 2 Si(Si)2 AH 2 Si(Si)O I H 2 Si(Si)O, где ASiH 1.989 1015 nr / e (cм-2). Величины и e это значение частоты при максимaльном значении поглощения (в cм-1) и эффективный заряд диполя SiH. Величины ASiH для мод растяжения-сжатия при значениях x: ASiH=9.11019 cм-1 при x=0, 6.41019 cм-1 при x=1, 3.81019 cм-1 при x=2 и 1.21019 cм-1 при x=3. Плотность водородных связей рассчитана как AI, (2) N d где d – толщина пленки, I – интенсивность спектральной линии, w – волновое число. Следуя работам Лангфорда [2] коэффициенты А имеет значения: ASiH (где х это число атомов кислорода Si:OxH): ASiH=9.11019 cм-1 для x=0, 6.41019 cм-1 для x=1, 3.81019 cм-1 для x=2 и

1.21019 cм-1 для x=3. Коэффициент для дигидридных связей ASiH 2 оценивается как 2.21020 cм-1 при x=0; A Si H2 =1.571020 cм-1 при x=1 и 9.21019 cм-1 при x=2. Изложены также оригинальные результаты технологии нанокристаллической пленки кремния. Изучены технологические параметры обусловливающие изготовление нанокристаллических пленок кремния с минимальным средним размером равным 7.5-10 нм нанокристаллов распределенных в пленке.

Показано, что фотолюминесцентные пики оптического отклика нанокристаллической пленки существенно превышают значение ширины запрещенной зоны кремния равной 1.12 эВ для непрямых оптических переходов. Показано, что спектральные линии поглощения нанокристаллической пленки в ИК диапазоне исследованные методом Фурье спектроскопии состоят из спектральных компонент, которые соответствуют различным соединениям атомов кислорода, фтора и водорода с атомами кремния в пленке.

Пленки нанокристаллического кремния исследовались методом атомно-силовой спектроскопии. Исследована морфология поверхности пленки при различных технологических условиях нанесения для получения наиболее высокого её качества, малой шероховатости и малого размера кристаллов, обусловленных её структурной однородностью.

В настоящей работе впервые были измерены фотолюминесцентные спектры пленок кремния полученных при различных условиях их осаждения из газовой фазы (см. Рис.3). Изучена роль тетрафторида кремния в процессе осаждения пленки кремния. Впервые исследованы корреляции между оптическими, структурными и химическими свойствами нанокристаллических пленок кремния при различных технологических условиях их осаждения из газовой смеси силанводород-тетрафторид кремния. Исследован механизм фотолюминесценции пленок кремния содержащих нанокристаллы с различным средним размером и формой распределения по размеру кристаллов в пленке. Измерен «хвост» дефектных уровней вблизи дна зоны проводимости и валентной зоны.

Определены точечные дефекты присутствующие в пленке нанокристаллического кремния осажденного на стеклянную подложку. Предложена модель фотолюминесцентного отклика пленок нанокристаллического кремния изготовленных методом вакуумно-плазменного осаждения кремния из газовой фазы.

–  –  –

(1 1 1 ) (2 2 0 )

–  –  –

Рис. 3. Фотолюминесцентные спектры (a), Рамановские спектры (б), результаты расчета на основе данных Фурье спектроскопии (в), и рентгеновской дифракции (г) поликристаллических пленок с ориентациями кристаллов (111) и (220).

Изготовленные пленки имеют широкое распределение кристаллов по размерам, средний размер которых определялся методом рентгеновской дифракции с использованием формулы Шеррера [3], объемная доля кристаллической фазы определялась с использованием методики Рамановского рассеяния впервые предложенной Тсу [4], химические связи и их количество определялось методом Фурье-ИК спектроскопии с использованием работ Лангфорда и Луковски [5], которые впервые определяли положение спектральных линий соответствующих Si-H, Si-O, Si-F связям, исследование оптического поглощения пленки проводилось с помощью спектрофотометра, используя результаты которого по методики Таука [6] определялась область дефектных уровней внутри запрещенной зоны кремния вблизи дна зоны проводимости, то есть «хвост» Урбаха. Методом пикосекундной спектроскопии исследованы времена рекомбинации

–  –  –

где L(,) –фактор локального поля,, q вектор обратной решетки, равный 2/a, где a –постоянная решетки, -объемная доля кристаллической фазы, Г –ширина линии фононной моды.

Предположено, что a0 – длина связи Si-Si внутри кристалла, a1 – искаженная длина связи благодаря атомам кислорода. Предполагается, что a2=(NSi-OaSiO+NSi-SiaSi-Si)/(NSi-O+NSi-Si); q2=2/a2, и a1=(1-S(a0-a2)/V)a0=(1±6(a0-a2)/)a0, где S и V поверхность и объем сферического нанокристалла. Величина q1 =2/a1 различается в диапазоне –q1 до q1.

При плотностях связей NsiO=21021cм-3 и NSi-Si=51022 cм-3 величина a2 равна 0.98 a0, а a1 равна 0.996 a0. Показано, что в результате приложенного поля происходит возникновение механических напряжений поверхности приводящих к изменению фононных мод внутри кристалла c продольных поляризованных в направлении (001) на поперечные моды поляризованные в направлении 100) Экспериментально исследовано разрушение кристаллической фазы под действием электрического поля для пленки кремния, полученной методом вакуумно-плазменного осаждения кремния из газовой смеси силана и водорода (1:10) при температуре подложки 80оС и рабочем давлении 0.2 Тор. Изготовленная пленка кремния имела нанокристаллы размером 24 нм и 66% кристаллической фазы (111). В результате переориентации Si-O диполей на расстояниях 1порядок кристаллической структуры нарушается, и образующееся аморфное вещество SiOx имеет фононные моды D1 около 490 см-1 с появлением точечных дефектов с энергией активации

0.14 эВ и, соответствующую присутствию мостика Si-O-Si фононную моду w1.

Экспериментально исследован двухфононный эффект Рамановского рассеяния на кристаллической подложке кремния и пленке кремния с нанокристаллами. Показано, что под действием электрического поля изменения в спектральной картине не происходят. Изучен электро-акусто-оптический эффект под действием внешнего поля нанокристаллической пленки кремния осажденной на подложку стекла Si/SiO2, а также на диэлектрический буферный слой (Eg=5.5 эВ) оксида церия Si/CeO2/SiO2 (1 нм и 90 нм) изготовленный методом магнетронного распыления мишени при низких (600оС) и высоких температурах (650оС).

Свободная энергия определяется как энергия связи Еj атомов на единицу площади

–  –  –

связанных с кристаллом, Ei -напряженность внешнего электрического поля в i направлении, хj вектор диполя межатомной связи в i направлении, e заряд электрона. Предложена теоретическая модель фотостимулированного электронного обмена в системе атом-поверхность в присутствии постоянного электрического поля, которая позволяет описывать процессы зарядообмена и образование хемосорбции с последующим распространением порядка кристаллической структуры.

В третьей главе изучены квантовые объекты в пленках кремния: точечные дефекты на поверхности пленки и в её объеме, химические связи, нанокластеры оксида кремния, наноскопические полости. Изучены электрические свойства пленок нанокристаллического кремния, их спектральные характеристики тока при различных технологических условиях осаждения и присутствия дефектных уровней в запрещенной зоне. Впервые обнаружен эффект квантовых биений интенсивности излучения с близко расположенных друг к другу уровней в вблизи дна зоны проводимости в пленках нанокристаллического кремния содержащих атомы кислорода и имеющие нанокристаллы с ориентацией (111). Атомы кислорода объединяются в пленке кремния с атомами в различных конфигурациях с присутствием водорода.

Экспериментально обнаружены точечные дефекты соответствующие вакансиям атомов кремния в кристаллах кремния, имеющие значения энергии Еv+0.13 эВ для дефекта V++, Еv+0.05 эВ для дефекта V+, Ec-0.14 эВ и Ev+0.13 эВ для V- и V+. при образовании водородных комплексов и дигидрировании атомов кремния (p-типа Si) образование дефекта V0+Vo+V++ с последующим образовании дырок по сценарию V++ V++h; V+ V0+h.

Теоретическая модель оптического отклика основана на оценке квантового дипольного момента [7] для квантового объекта - Si-O связи внутри кристаллической решетки кремния:

–  –  –

H 22 собственные значения энергии для системы с двумя взаимодействующими атомными орбиталями.

Лазерная спектроскопия сверхкоротких импульсов широко используется для определения Ридберговских состояний и зарядовых состояний на металлической поверхности [8]. Впервые проводились экспериментальные работы с помощью пикосекундной лазерной спектроскопией направленные на оценку ширины дефектного уровня вблизи дна зоны проводимости. При возникновении квантовых биений уровней в результате их квантовой интерференции для оксидированных поверхностей кристаллов с ориентацией (111) измерялись периоды биений, по которым оценивались энергетические промежутки между уровнями (см.Рис.4): для оксидированной подложки кремния (111) ширина уровня составляет 6 мкэВ при промежутке 7.2 мкэВ, для пленки нанокристаллического кремния с ориентацией кристаллов (111) и средним размером 9.7 нм ширина уровня составляет 7.2 мкэВ и промежуток 12 мкэВ. Согласно данным ЭПР спектроскопии ряд образцов с ориентацией нанокристаллов (111) имеют только точечные дефекты Рв центры и разорванные связи, а у других присутствуют А дефекты и разорванные связи. Это различие обусловливает электронную структуру дефектных уровней и их оптический отклик.

Рис. 4 Энергетические диаграммы одиночных дефектных уровней и двух близко расположенных уровней обусловленных существованием двух возможных состояний дефекта из-за объединения атома кислорода с атомами кремния на поверхности (111): (a) – в виде Si-O связей, (б) в виде мостиков Si-O-Si и образования вакансий, и соответствующие им эволюции неравновесных носителей.

Предложена теоретическая модель точечного дефекта - А центра образованного под действием включенного в решетку кремния атома кислорода, который под действием внешнего электрического поля туннелирует от одного состояния связанного с первой парой двух атомов кремния ко второй паре атомов кремния вместе с переключением атомных орбиталей взаимодействующих с этими парами атомов кремния. Эта модель находит экспериментальное подтверждение при переключении спектральных составляющих в ЭПР спектре пленки нанокристаллического кремния под действием приложенного электрического поля.

Структурные особенности границы раздела нанокристаллов (111) размерно-зависимы, поскольку насыщены кремний-кислородными связями, которые образуются при нагревании пленки до 150оС. Размерный эффект возникает после образования силоксеновых связей и удаления гидроксильных связей вместе с водой. Появляющийся порядок соединения SiOx моделируется для различных размеров где x=1 при размере 0.9 нм и х=1.34 при размере 1.5 нм.

Структурный порядок SiOx обусловливает существование того или иного типа точечных дефектов. Структура малых размеров позволяет существовать Pb дефектам тогда как при увеличении размеров возможно образование только А дефектов. Исследовано экспериментально переключение состояний при помощи приложенного электрического поля с потенциалом 100 В с помощью спектроскопии электронно-парамагнитного резонанса. Согласно работе Маденаха и Вернера [9] видно, что граница раздела нанокристаллов кремния играет важную роль в генерации шума с максимумом в спектральном диапазоне 1-10 кГц. При понижении размера кристаллов флуктуации потенциала также снижаются. Ширина максимума спектральной характеристики может быть существенно сужена при помощи технологических методов способствующих возрастанию однородности кристаллической фазы внутри пленки кремния.

Спектральная плотность тока имеет верхнюю границу около значения 10 МГц. Эти экспериментальные данные были получены для пленок фторированного нанокристаллического кремния. Таким образом, впервые изготовлена кристаллическая пленка кремния (111) на стекле при сравнительно высокой температуре (300 оС) и отношении скоростей натекания [SiF4 ]:[H2 ]=0.005 которая имеет ориентированную поверхность с симметрией (1х1) и соответствует поверхности монокристалла.

Предложена модель образованного за счет присутствия атома примеси, кислорода, точечного дефекта A центра, в котором могут происходить высокочастотные переключения под действием внешнего поля. Собственная частота оценивалась используя метод лазерной дефлектометрии 3* 1013 Гц.

Последний раздел третьей главы посвящен исследованию вольт-амперных характеристик (см. Рис. 5) наноструктурных пленок кремния изготовленных на подложке стекла и буферный слой оксида церия. Напряжение изменялось в диапазоне от 10 мВ до 10 В при изменении тока через пленку от 1 нА до 10 мкА. Проводимость пленки оценивалась как, 0 exp(( Ea ) / kT ) ;

где Ea –энергия активации. Проводимость может быть оценена как 0 exp( ( E E F ) / kT ) ;

1 A exp( (E ) / kT ) ; A=02/01; для пленок поликристаллического кремния 0 =1000 Ом-1cм-1.

2 e2 n 0, где n0 есть равновесная E 178 мэВ. Величина 0 оценивается как 0 m концентрация носителей, время релаксации неравновесных носителей, 0.8 нс Величина подвижности материала оценивалась как =e/m. и была равна 176 cм2/ В с. Зависимости проводимости от температуры пленок наноструктурированного кремния – кривые Аррениуса при нагревании пленки кремния (n-типа Si) и охлаждении при отсутствии пассивирования разорванных связей водородом, Ес-0.18 эВ соответствует энергии А дефекта и дефектного уровня ЕС-0.17 эВ V=V-+e); при полном пассивировании водородом пленки кремния (p-типа Si) и образования нейтральной вакансии V-V0+h (предполагаемые уровни ЕС-0.14 эВ и ЕV+0.13 эВ); при образовании водородных комплексов и дигидрировании атомов кремния (p-типа Si) образование дефекта V0+Vo+V++ с последующим образовании дырок по сценарию V++ V++h;

V+ V0+h.

В четвертой главе представлены результаты исследований резонансных нелинейнооптические эффектов в пленках нанокристаллического кремния содержащих атомы кислорода и фтора.



Pages:   || 2 |
Похожие работы:

«Самищенко Алексей Сергеевич НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ДАКТИЛОСКОПИИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ РАЗВИТИЯ Специальность: 12.00.12 – криминалистика; судебно-экспертная деятельность; оперативно-розыскная деятельность Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата юридических наук Москва – 2015 Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет радиотехники,...»

«Суровцев Роман Сергеевич Вычислительные алгоритмы, методики и рекомендации для проектирования бортовой радиоэлектронной аппаратуры космического аппарата с учетом электромагнитной совместимости Специальность 05.12.04 – радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук Томск–2015 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального...»

«Карпов Иван Владимирович Развитие вычислительных методов определения частотной характеристики радиоканала Специальность 05.12.04 – Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Владимир 2013 Работа выполнена на кафедре радиотехники и радиосистем Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Владимирский государственный...»

«МОРОЗОВСКИЙ Кирилл Валерьевич МЕТОД И АЛГОРИТМЫ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ОБЪЕКТОВ НА БАЗЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ХАФА, ИНВАРИАНТНЫЕ К ПРЕОБРАЗОВАНИЯМ ВРАЩЕНИЯ, МАСШТАБИРОВАНИЯ И ПЕРЕНОСА Специальность 05.13.17 – Теоретические основы информатики Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук ПЕНЗА 2015 Работа выполнена на кафедре радиотехнических и медико-биологических систем ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический...»

«Денисенко Виктор Васильевич МЕТОДЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ СБИС С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОЛУНАТУРНОЙ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРА 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микрои наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Автореферат Диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Таганрог 2010 Работа выполнена в Технологическом институте ФГАОУ высшего профессионального образования Южный федеральный университет в г. Таганроге, на кафедре теоретических...»

«Беринцев Алексей Валентинович ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СЛАБЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ И ПОЗИЦИОННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ Специальность: 05.11.01 – Приборы и методы измерения (электрические измерения) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Ульяновск – 2015 Работа выполнена на кафедре «Радиотехника, оптои наноэлектроника» Ульяновского государственного технического университета. Научный руководитель: доктор...»

«ПАНКРАТОВА НАТАЛЬЯ МИХАЙЛОВНА ОБНАРУЖЕНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЙ МЕЖДУ РЕЖИМАМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ ГОЛОВНОГО МОЗГА ПО ДАННЫМ МАГНИТНОЙ ЭНЦЕФАЛОГРАФИИ Специальность: № 03.01.02 – Биофизика Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Москва, 2015 Работа выполнена в Отделе перспективных информационных технологий Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт математических проблем биологии Российской...»

«КОЛЯДИН НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ, ПРОШЕДШИХ НАЗЕМНУЮ ТРАССУ РАСПРОСТРАНЕНИЯ РАДИОВОЛН, И ЕЁ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ФАЗОВЫХ ПЕЛЕНГАТОРОВ Специальность 05.12.14 – Радиолокация и радионавигация АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук Томск – 2015 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального...»









 
2016 www.konf.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, диссертации, конференции»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.