WWW.KONF.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Авторефераты, диссертации, конференции
 

Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 11 |

«ЗАКОНОМЕРНОСТИ И МЕХАНИЗМЫ ПРОЦЕССОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ, В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ...»

-- [ Страница 1 ] --

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ТАМБОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМ. Г.Р. ДЕРЖАВИНА

На правах рукописи

Карыев Леонид Геннадьевич

ЗАКОНОМЕРНОСТИ И МЕХАНИЗМЫ ПРОЦЕССОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ, В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ



01.04.07 – Физика конденсированного состояния Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Научный консультант:

доктор физико-математических наук, профессор В.А. Фдоров Тамбов 2015 Автор выражает благодарность и признательность, научному консультанту – доктору физико-математических наук, профессору Виктору Александровичу Фдорову за неоценимую помощь и поддержку на протяжении всего этапа выполнения работы, регулярные консультации и обсуждения полученных результатов.

Автор выражает благодарность сотрудникам кафедры общей физики: к.

ф.-м. н. Мексичеву О.А., к. ф.-м. н. Стерелюхину А.А., к. ф.-м. н. Кочергиной Ю.А., к. ф.-м. н. Яковлеву А.В., Васильевой С.В. за помощь при выполнении работы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ПОВЕДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ

ФИЗИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

1.1. Твердые электролиты

1.1.1. Диэлектрики в зонной теории

1.1.2. Дефекты кристаллических структур

1.1.3. Магнитопластический эффект

1.2. Электрические эффекты в диэлектриках

1.2.1. Поляризация диэлектриков

1.2.2. Электролюминисценция

1.2.3. Электрические флуктуации

1.2.4. Электрострикция

1.2.5 Пьезоэффект

1.2.6. Пироэффект

1.2.7. Сегнетоэлектрики

1.2.8. Электретный эффект

1.2.9. Электропластический эффект

1.3. Фотоэффект в диэлектриках

1.3.1. Фотоэлеткронная эмиссия

1.3.2. Внутренний фотоэффект в диэлектриках

1.3.3. Фотостимулированная кристаллизация

1.4. Адсорбция

1.5. Диффузия в ионных кристаллах

1.6. Ионная проводимость

1.7. Электроды

1.8. Электрический пробой в диэлектриках

1.9. Взаимодействие примесей и точечных дефектов с дислокациями.. 87

1.10. Разрушение кристаллов

1.11. Основные закономерности процесса микроиндентирования.......... 98

1.12. Залечивание нарушений сплошности в кристаллах

ГЛАВА 2. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА

ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ НАГРЕВЕ В

ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

2.1. Структура и морфология поверхностей ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле, силовые линии которого ориентированы перпендикулярно поверхности кристалла

2.1.1. Материалы и методика эксперимента

2.1.2. Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии

2.1.3. Структура и морфология поверхностей

2.1.4. Механические свойства вещества новообразований............ 119 2.1.5. Масс-спектрографическое исследование поверхносте......... 120 2.1.6. Рентгеноструктурное исследование поверхностей............... 123 2.1.7. Кристаллизация новообразований на поверхностях ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации

2.1.8. Структурные изменения поверхностей ионных кристаллов под действием потенциала внешнего электрического поля приложенного к поверхности при нагреве

2.1.9. Обсуждение результатов

2.2. Структура и морфология поверхностей ионных кристаллов при нагреве в электрическом поле, силовые линии которого ориентированы параллельно поверхности

2.2.1. Материалы и методика эксперимента

2.2.2. Структура и морфология поверхностей трещины скола...... 138

2.3. Выводы к главе 2

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ НАГРЕВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

ПАРАМЕТРЫ ПОВЕРХНОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ

КОМПЛЕКСНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ............ 142

3.1. Линии напряженности электрического поля ориентированны перпендикулярно поверхностям кристаллов





3.1.1.Материалы и методика эксперимента

3.1.2. Исследование зависимости плотности тока от температуры143 3.1.3. Определение энергии активации процесса проводимости... 148 3.1.4. Зависимость напряженности электрического поля в воздушном зазоре от температуры

Зависимость величины электрической индукции в 3.1.5.

межэлектродном промежутке от температуры

3.1.6. Зависимость величины поверхностной плотности электрического заряда от температуры

3.1.7. Обсуждение результатов

3.2. Силовые линии электрического поля ориентированы параллельно поверхности. Поверхностные токи

3.2.1. Материалы и методика эксперимента

3.2.2. Проводимость ионных кристаллов с учетом вклада поверхностей. Энергии активации процессов проводимости................ 163 3.2.3. Обсуждение результатов

3.3 Выводы к главе 3

ГЛАВА 4. АККУМУЛЯЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА В

ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ ОБЛАСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ

НАГРЕВЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

4.1. Материалы и методика эксперимента

4.2. Результаты эксперимента

4.3. Обсуждение результатов

4.4 Выводы к главе 4

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ И

НЕОДНОРОДНОСТИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ НА

ЗАЛЕЧИВАНИЕ НЕСПЛОШНОСТЕЙ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ......... 177

5.1. Поведение поверхностей внутреннего скола ионных кристаллов в электрическом поле при одновременном нагреве

5.1.1. Материалы и методика эксперимента

5.1.2. Результаты эксперимента

5.1.3. Обсуждение результатов

5.2. Закономерности эмиссии ионов с поверхности ионных кристаллов в условиях одновременного воздействия на кристалл тепловым и электрическим полями

5.2.1. Материалы и методика эксперимента

5.2.2. Результаты эксперимента

5.2.3. Обсуждение результатов

5.3. Залечивание трещин в щелочногалоидных кристаллах ионным током

5.3.1. Материалы и методика эксперимента

5.3.2. Результаты эксперимента

5.3.3. Обсуждение результатов

5.4. Выводы к главе 5

ГЛАВА 6. ПОВЕДЕНИЕ НЕСПЛОШНОСТЕЙ, ОГРАНИЧЕННЫХ

ПОВЕРХНОСТЯМИ РАЗЛИЧНЫХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ, В УСЛОВИЯХ

КОМПЛЕКСНОГО ТЕРМОЭЛЕТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ............... 200 6.1. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях разнородных ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии

6.1.1. Материалы и методика эксперимента

6.1.2. Результаты эксперимента

6.1.3. Обсуждение результатов

6.2. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях однородных ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации при термоэлектрическом воздействии

6.2.1. Материалы и методика эксперимента

6.2.2. Результаты эксперимента

6.2.3. Обсуждение результатов

6.3. Выводы к главе 6

7.1. Материалы и методика эксперимента

7.2. Морфологические и структурные изменения ионных кристаллов с имплантированным металлом в условиях термоэлектрического воздействия

7.3. Исследование распределения Au в NaCl

7.4. Исследование распределения имплантированного Au в кристалле LiF

7.5. Исследование спектров пропускания ионных кристаллов с имплантированным металлом

7.6. Обсуждение результатов

7.7. Химические твердофазные реакции, протекающие при имплантации металла в щелочногалоидные кристаллы в условиях воздействия тепловых и электрических полей

7.8. Влияние металла, имплантированного в ЩГК в условиях термоэлектрического воздействия на механические характеристики макрообразцов

7.8.1. Обсуждение результатов

7.9. Исследование деформационного поведения (в микрообъемах) кристаллов с имплантированным металлом при воздействии тепловых и электрических полей

7.10. Электрофизические свойства ионных кристаллов с имплантированным металлом при термоэлектрическом воздействии. 242

7.11. Выводы к главе 7

ГЛАВА 8. МОДЕЛИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ И

АНАЛИТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ВЗАИМОСВЯЗИ ПАРАМЕТРОВ

СОСТОЯНИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ НАГРЕВЕ В

ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ

8.1. Модели поверхностных процессов

8.1.1. Физическая модель, постановка задачи

8.1.2. Общие сведения и границы применимости

8.1.3. Учет вклада поверхности в величину напряженности во внутренних областях кристалла

8.1.4. Зависимость амплитуды колебаний атомов от температуры 250 8.1.5. Расчет энергетических параметров модели

8.1.6. Моделирование образования и миграции точечных дефектов при термоэлектрическом воздействии

8.1.7. Влияние способа формирования объемного заряда на состояние поверхности

8.1.8. Влияние нестехиометрии состава на состояние поверхности259 8.1.9. Обсуждение результатов

8.2. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния ионных кристаллов при одновременном воздействии на них нагрева и электрического поля

8.2.1. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния сплошного кристалла

8.2.2. Аналитическая оценка взаимосвязи параметров состояния кристаллов с макроскопическим дефектом в виде трешины скола по плоскости первичной спайности

8.2.3. Аналитическая оценка работы выходов ионов с поверхности {100} в ионных кристаллах

8.2.4. Обсуждение результатов

8.3. Выводы к главе 8

ПРИЛОЖЕНИЕ. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ И

ОСОБЕННОСТИ РАЗРУШЕНИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ

МИКРОИНДЕНТИРОВАНИИ, МЕХАНИЧЕСКОМ И

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ВОЗДЕЙСТВИЯХ, ОСОБЕННОСТИ

ДЕФОРМАЦИИ КРИСТАЛЛОВ

1. Влияние исходной дислокационной структуры фтористого лития на зарождение трещин при микроиндентировании

1.1. Материалы и методика эксперимента

1.2. Результаты эксперимента

1.3. Обсуждение результатов

2. Об аномалиях, наблюдаемых при микроиндентировании фтористого лития, обусловленных ориентацией индентора

2.1. Материалы и методмка экперимента

2.2. Результаты эксперимента

2.3. Обсуждение результатов

3. Определение упругой деформации поверхности кристалла при микроиндентировании

3.1. Материалы и методика эксперимента

3.2. Результаты эксперимента

3.3. Обсуждение результатов

4. Пластическая деформация кристалла при микроиндентировании.... 309

4.1. Материалы и методика эксперимента

4.2. Обсуждение результатов

5. Взаимодействие трещины скола с полосами скольжения в ионных кристаллах

5.1. Материалы и методика эксперимента

5.2. Результаты эксперимента

5.3. Обсуждение результатов

6. Взаимодействие лазерного излучения ИК – диапазона с дефектами структуры в ионных кристаллах

7. Выводы

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

ВВЕДЕНИЕ

Исследование поведения кристаллических тел, в частности, диэлектриков при различных внешних энергетических воздействиях, в том числе и комплексных, а так же легирование кристаллов металлами, является актуальной задачей физики конденсированного состояния. Комплексное внешнее энергетическое воздействие проявляется при работе элементов оптики, электроники в экстремальных условиях, например, одновременного воздействия тепловых и электрических полей [1], силовых и магнитных [2, 3] и т.д.

Одним из интересных фактов является существование у относительно твердых тел постоянной поляризации, которая может наблюдаться и в отсутствии внешнего электрического поля. Если нагретый до предплавильных температур диэлектрик (например, воск) поместить в постоянное электрическое поле, то под действием поля дипольные моменты молекул примут преимущественную ориентацию в диэлектрике, которая сохранится после охлаждения диэлектрика и выключения электрического поля. Такой диэлектрик называется электретом. На его поверхности расположены постоянные поляризационные заряды.

Постоянная внутренняя поляризация P встречается и у некоторых кристаллических веществ. В таких кристаллах каждая элементарная ячейка решетки обладает одним и тем же постоянным дипольным моментом [4]. Все диполи направлены в одну сторону даже в отсутствии электрического поля.

Дипольные моменты могут измениться вследствие теплового расширения – это пироэлектрик, или под воздействием механического нагружения – пьезоэлектрик [5].

Некоторые кристаллы имеют внутренние моменты и вращение их также вносит вклад в поляризацию. В ионных кристаллах, таких, как NaCl, возникает также ионная поляризуемость. Кристалл состоит из положительных и отрицательных ионов, расположенных периодически. В электрическом поле возникает результирующее смещение зарядов и, следовательно, объемная поляризация. Определенный вклад в поляризацию ионных кристаллов дают примесные и собственные точечные дефекты, которые в различных температурных интервалах могут приводить к примесной и собственной проводимости. В этом случае следует отметить ионно-релаксационную и миграционную поляризации Эти виды поляризации являются [6].

релаксационными явлениями, поэтому параметры, характеризующие поляризацию, релаксируют, т.е. постепенно изменяются и затем устанавливаются постоянными.

Рассматривать проблемы прочности, пластичности, а так же исследовать электрические и оптические свойства кристаллов, обособленно от дефектов кристаллической структуры таких, как дислокации, примеси, собственные точечные дефекты и их комплексы, не всегда оправдано, так как, во первых, бездефектных кристаллов в природе не существует, во вторых, теоретический анализ механических свойств бездефектной структуры показал, что если, например, пластическая деформация в ней и возможна (при очень высоких напряжениях, порядка модуля сдвига), то образование устойчивой трещины в идеальной кристаллической решетке невозможно [7].

Многие физические свойства кристалла в определенной мере зависят от взаимодействия перечисленных дефектов между собой. Оно же может быть причиной локального отличия механических свойств в объеме и на поверхности образца, например, трещиностойкости в условиях механического нагружения и лазерного облучения, изменения скорости распространения трещины скола и величины работы выхода ионов с поверхности кристалла в процессе сублимации.

Точечные дефекты и дислокации осуществляют не только пластическую деформацию кристалла. Их скопления являются зародышами нарушений сплошности, которые при соответствующих условиях могут превратиться в распространяющиеся трещины, приводящие к разрушению материала. В связи с этим, микроскопические нарушения сплошности обычно рассматривают как элементы дефектной структуры кристалла, а процесс разрушения – как одну из стадий эволюции этой структуры.

Наличие ионов проводимости неизбежно сопровождается взаимодействием их с дефектами кристаллической решетки ионного диэлектрика, такими, как дислокации, границы субзерен, микро- и макротрещины. Последние оказывают существенное влияние на прочностные характеристики кристалла, его оптические свойства. Взаимодействие ионов проводимости с такими нарушениями регулярности решетки может приводить к их залечиванию вследствие массопереноса и восстановлению механических свойств. Кроме того, в интервалах температур собственной проводимости возможно накопление зарядов в поверхностных слоях диэлектрика. Это обстоятельство неизбежно приводит к изменению стехиометрического соотношения и, как следствие к изменению физических свойств кристалла.

Последнее представляет самостоятельный интерес, так как может встречаться при эксплуатации оптических элементов из щелочногалоидных кристаллов (ЩГК) в экстремальных условиях: высокие температуры, воздействие электрических и магнитных полей, что имеет место в лазерных устройствах ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов.

Актуальность работы В настоящее время рождаются и развиваются новые области техники и науки, базирующиеся на широком использовании своеобразных, а порой и уникальных свойств монокристаллов, в частности ионных. Например, LiF, NaCl, CaCO3, CaF2, Li2CO3, LiNbO3 широко используются в оптической промышленности, компьютерных технологиях, при создании интегральнооптических схем. Последние исследования свойств кристаллов некоторых солей говорят о том, что они могут использоваться для хранения данных, обеспечивающих на два порядка большую плотность записи информации, чем нынешние оптические технологии. Созданы одномерные ионные кристаллы, структура которых имеет специфические оптические свойства, разительно отличающиеся от объемного аналога. Будучи в обычных условиях диэлектриками ионные кристаллы после соответствующей обработки приобретают полупроводниковые свойства. Щелочногалоидные кристаллы представляют собой модельный классический материал для исследования различных свойств твердого тела. Таким образом, несмотря на то, что кристаллы этого типа достаточно подробно исследованы, они еще долгое время останутся предметом детальных и тщательных дальнейших исследований, что в свою очередь, расширит диапазон их использования.

Целенаправленное изменение механических и физических свойств твердых тел посредством легирования их атомами других веществ – одно из важных направлений исследований в материаловедении. Например, малые добавки примесных атомов улучшают качество технических сплавов. Так, добавки ванадия, циркония, цезия улучшают структуру и свойства стали, рений устраняет хрупкость вольфрама и молибдена. Наоборот, очистка меди от висмута, а титана от водорода приводит к исчезновению хрупкости этих металлов. Легирование ионныхкристаллов существенным образом влияет на механические, электрические и оптические свойства последних. Причем, такого рода изменения свойств охватывают весь образец в целом и в большей степени определяются взаимодействием дислокаций с примесными и собственными точечными дефектами. Научный и практичексий интерес представляет взаимосвязь различных способов легирования кристаллов с изменением структуры и физичексих свойств последних.

Очевидно, если в кристалле имеются макроскопления дислокаций (например, полосы скольжения, полосы Людерса), то при насыщении этих областей примесными и точечными дефектами свойства их будут всегда отличаться от свойств остальных участков. И, не исследовав их, нельзя говорить о свойствах кристалла. Т.е., анализ отклика участков кристалла с локальными скоплениями дислокаций на различного рода воздействия в них необходим и значим для оценки свойств кристалла в целом.

Вопрос о поведении кристаллов при высоких локальных напряжениях еще далек от своего разрешения. Поэтому необходимо исследование закономерностей процесса микроиндентирования, чтобы приблизится к решению данной проблемы.

Одна из задач физического материаловедения – ликвидация микро- и макротрещин внутри образца и на его поверхности. Поэтому выявление новых методов залечивания трещин принципиально важно. Исследование кинетики залечивания, в свою очередь, позволяет расширить информацию о свойствах самих исследуемых кристаллов.

Таким образом, влияние неоднородности дислокационной структуры и связанные с этим флуктуации примесного состава могут оказаться существенными в процессах разрушения и залечивания твердых тел, что делает постановку таких исследований актуальной.

Загрузка...

С другой стороны, широкое использование получили кристаллы, в которых проявляются различные эффекты: пьезоэффект, пьезооптический эффект, пироэффект, магнито- и электрострикция и др. Показано также, что в ЩГК, например, наблюдается явление магнитопластичности – увеличение подвижности дислокаций при воздействии относительно слабого магнитного поля. Особое значение в этом плане приобретают исследования, направленные на изучение отклика кристалла при комплексном воздействии на него:

механическое воздействие и магнитное электрическое поле);

(или рентгеновское облучение и ультразвук; и т.д. Поведение кристалла в таких ситуациях зачастую непредсказуемо.

Монокристаллы и изделия из них нередко эксплуатируются в экстремальных условиях: вибрации, низкие и высокие температуры, действие ионизирующего излучения и др. В связи с этим, повышаются требования к качеству монокристаллических материалов и изделий из них, а также к установлению режимов их эксплуатации при которых обеспечивается надежность и долговечность работы устройства в целом.

Вместе с тем, расширяются всесторонние исследования кристаллов.

Научный поиск путей целенаправленного изменения их свойств и получение новых веществ на их основе.

Эти и другие проблемы, связанные с использованием монокристаллов в науке и технике, а также исследования поведения их при комплексных воздействиях делают актуальными изыскания, направленные на изучение поведения поверхностей ионных кристаллов, широко используемых в оптике, при воздействии на них электрических полей в области предплавильных температур.

В настоящей работе исследованы экспериментально и аналитически структурно-фазовые превращения на поверхностях различной кристаллографической ориентации ионных кристаллов при одновременном воздействии на них нагрева и электрического поля, ориентированного как нормально поверхности, так и параллельно ей. Экспериментально установлено, что при термоэлектрическом воздействии на ионные кристаллы на поверхностях образцов появляются изменения в виде каплеобразных новообразований вязкого вещества, которое способно кристаллизоваться при вылеживании в течение 90 суток при комнатной температуре. Кроме того, в веществе новообразований наблюдается рост кристаллов в виде игл в результате локального воздействия оптического излучения, и такая фотостимулированная кристаллизация происходит значительно быстрее. Под «каплями» новообразований образуются лунки с кристаллографической огранкой. Само вещество при химическом травлении поверхности уходит в раствор. Появление желеобразного вещества изменяет оптическую прозрачность кристалла и физические свойства его поверхности.

Проведенными масс-спектроскопическими исследованиями и рентгеноструктурным анализом установлено аморфно-кристаллическое строение новообразований и отмечено увеличение межионного расстояния.

Основной причиной новообразований является нарушение стехиометрического соотношения элементов, составляющих кристалл.

Совокупность экспериментальных результатов по исследованию свойств и поведения новообразований позволяет трактовать наблюдаемое явление как структурно-фазовое превращение, обусловленное нарушением стехиометрического состава. Изменение стехиометрии обусловлено ионной проводимостью кристалла при достижении определенной температуры.

Установлено, что при воздействии на ионные кристаллы одновременно нагрева и электрического поля происходит залечивание имеющихся в них дефектов в виде микро- и макротрещин в плоскостях {100} и {110}.

Во время такого воздействия поверхности дефекта претерпевают изменения, проявляющиеся в форме дислокационных розеток на отрицательно заряженной поверхности, и монокристаллических наростов – на положительно заряженной. С течением времени наросты разрастаются и перемыкают берега трещины. Предложен механизм образования и развития наростов. Показано, 1) что наросты возникают только на высокотемпературном интервале проводимости кристаллов; 2) их появление и развитие не зависят от концентрации примесей в кристалле, локальной концентрации примесных и собственных точечных дефектов на поверхности трещины, обусловленной ее дислокационной структурой, а так же от их состояния.

Установлено, что основной причиной изменения поверхностей трещины является ионный эмиссионный ток между ее берегами. Эмиссия ионов и работа выхода определяются полярностью поверхности. Существенное влияние на работу выхода оказывает, также, локальная концентрация примесных и собственных точечных дефектов обрабатываемого участка поверхности.

При термоэлектрическом воздействии на контактирующие поверхности различных кристаллов, например, пары LiF:NaCl, обнаружено образование соединений типа NaF и LiCl.

Установлены механизмы образования избыточного заряда на поверхностях ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии, отличающиеся для положительно и отрицательно заряженных поверхностей тем, что в первом случае заряд обусловлен накоплением междоузельных ионов металла, а во втором, наоборот, обеднением поверхностных слоев более подвижными ионами металла. В связи с этим, основной причиной более низких пробивных напряжений при отрицательно заряженной поверхности является кулоновское взаимодействие, способствующее разрушению обедненной ионами металла решетки кристалла. Указанные явления способны увеличивать проводимость кристаллов за счет поверхностных токов, как в примесном, так и в собственном температурных интервалах проводимости.

Поверхностная аккумуляция заряда может быть «заморожена»

понижением температуры. В этом случае создается состояние подобное электретному. Однако при нагреве кристалла, возникающие «аккумуляторные» токи на 5–6 порядков превышают токи деполяризации при электретном состоянии. И если таковое существует в нашем случае, то оно разрушается на начальных стадиях нагрева кристалла. Наличие же тока в цепи при замыкании электродов, примыкающих к кристаллу, объясняется обратным перераспределением заряда, продолжительность которого и величина аккумуляторного тока, соответственно, зависят от температуры.

Предложена физическая модель кристалла, подвергнутого термоэлектрическому воздействию, в которой экспериментальные результаты совпадают с теоретическими, и с помощью которой объясняется ряд явлений, наблюдаемых в эксперименте. В частности, показано, что энергия сублимации положительных ионов металла с положительно заряженной поверхности существенно выше, чем энергия сублимации отрицательных ионов, что является основной причиной низких пробивных напряжений наряду с кулоновским взаимодействием для отрицательно заряженных поверхностей.

Рассмотрена также роль вакансий и междоузельных атомов примесей (дефектов по Френкелю и Шоттки) в формировании электрического заряда поверхности.

Теоретически установлена функциональная зависимость между различными параметрами состояния сплошного кристалла и кристалла с трещиной скола в условиях комплексного термоэлектрического воздействия. В связи с этим экспериментально определена "удельная проводимость трещины "в зависимости от температуры. Оказалось, что она описывается таким же выражением, как и зависимость между теми же параметрами для кристалла без нарушения сплошности, с точностью до коэффициентов. Оценена работа выхода положительных ионов в условиях развивающихся пластических сдвигов.

При выполнении экспериментов, необходим метод, позволяющий оценивать качество результатов опытов, или исследовать некоторые микрообъекты, возникающие в процессе обработки кристаллов, пластичность и хрупкость тонких поверхностных слоев. Таким методом (экспресс-анализ) является микроиндентирование. Метод микротвердости может быть использован при физико-химическом анализе, в исследовании фото- и электромеханических эффектов, при изучении примесного упрочнения кристаллов.

В работе исследованы причины повышенной хрупкости фтористого лития при микроиндентировании его поверхности скола. Установлено, что 1) в участках скопления исходных краевых дислокаций вероятность образования трещин изменяется в некоторых пределах (в зависимости от условий опыта), при индентировании в скопления исходных винтовых дислокаций или свободные от дислокаций участки поверхности скола разрушение кристалла не происходит; 2) трещиностойкость зависит не только от дислокационной структуры, но и от температуры образца и нагрузки на индентор;

статистическая вероятность возникновения разрушения при 3) индентировании в скопления исходных краевых дислокаций возрастает с увеличением плотности дислокаций в них, при прочих равных условиях, и не зависит от плотности винтовых дислокаций в скоплениях. Показано, что причиной обнаруженного макроэффекта охрупчиваемости являются примеси и собственные точечные дефекты, концентрирующиеся преимущественно вблизи краевых дислокаций.

Экспериментально обнаружен и исследован эффект аномального растрескивания при микроиндентировании фтористого лития в зависимости от ориентации индентора (пирамидка Виккерса) – при ориентации индентора d 110 (d – диагональ отпечатка) трещины зарождаются при любых нагрузках на индентор, практически при каждом акте индентирования, при незначительном отклонении ориентации индентора от такового разрушения не наблюдается. Определены факторы, влияющие на аномальное растрескивание кристалла. Показано, что одним из них является повышенная концентрация примесных и собственных точечных дефектов в местах скопления исходных краевых дислокаций. Предложен механизм, объясняющий образование трещин и их отсутствие в зависимости от ориентации индентора.

При анализе механизмов пластичности, меняющихся по мере внедрения индентора в материал, имеет место упругий прогиб поверхности, дающий вклад в общее перемещение индентора. В связи с этим, разработан метод, позволяющий фиксировать и оценивать количественно величину упругого прогиба индентируемого участка для ионных кристаллов при различных нагрузках на индентор.

Работа выполнена в рамках научных исследований, проводимых в Тамбовском государственном университете им. Г.Р. Державина по теме «Дефекты кристаллических структур: механизмы образования и поведения в условиях внешних энергетических воздействий» и поддержана грантами Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант № 98-01-00617-а, № № № № 02-01-01173-а, 05-01-00759-а, 09-01-00454-а, 12-01р_центр_а, № 15-41-03166_р_центр_а, № 15-01-04553), а также Министерства общего и профессионального образования, грант по фундаментальным исследованиям в области естественных наук (грант № 97-0в рамках тематических планов Рособразования (№ 1.1.06 и 1.10.09) и Государственного задания Минобрнауки РФ (№ 1.691.2011, №2476).

Научная новизна

1. Впервые обнаружены структурные и морфологические изменения на свободных поверхностях ионных кристаллов, подвергнутых термоэлектрическому воздействию. Изменения проявляются в образовании на поверхностях вещества в виде «капель», находящегося в аморфном состоянии.

По совокупности признаков (наличие границы раздела, иные физические свойства, существование температуры начала превращения) появление новообразований трактуется как структурно-фазовое превращение, связанное с образованием фаз типа AB(A+) или AB(B–) с отличающимся от исходных кристаллов стехиометрическим соотношением элементов. При комнатной температуре вещество капель кристаллизуется в процессе длительного вылеживания.

На поверхностях трещины скола изменения проявляются в образовании монокристаллических дендритообразных наростов, за счет процессов рекомбинационной кристаллизации, перемыкающих берега трещины и вызывающих восстановление сплошности кристалла.

2. Установлено, что величина ионного тока в ионных кристаллах при нагреве в электрическом поле, значения энергии активации процесса проводимости, накопление поверхностного заряда зависят от ретикулярной плотности поверхностей, ориентированных нормально к линиям электрического поля и от массы катионов. Накопление поверхностного заряда происходит в температурном интервале собственной проводимости, обусловлено различной подвижностью катионов и анионов (последние остаются практически неподвижными вплоть до предплавильных температур) и является причиной возникновения при замыкании поверхностей кристалла «аккумуляторных» токов, на 5–6 порядков превышающих токи деполяризации.

Положительной и отрицательной полярностям поверхности соответствуют различные механизмы накопления заряда, в обоих случаях они носят миграционный характер.

3. Установлено, что при легировании ионных кристаллов атомами металлов методом термоэлекрического воздействия на композит «кристалл– металл» происходит диффузия металла внутрь кристалла, которая сопровождается образованием микроканалов и полостей сложной формы;

возникновением дендритообразных структур; изменением состояния поверхности кристалла контактирующего с металлом; изменением физических свойств кристалла, обусловленных образованием, в последнем, новых фазовых состояний за счет твердофазных химических реакций.

4. Установлено, что при нагреве в постоянном электрическом поле композиции, состоящей из двух однородных или разнородных кристаллов, происходит сращивание последних, а на контактирующих поверхностях так же протекают структурно-фазовые превращения, сопровождающиеся образованием новых ионных соединений за счет обмена катионами.

5. Предложена физическая модель кристалла, имитирующая исследуемые процессы и адекватно отражающая наблюдаемые явления в кристаллической решетке, основными нарушениями которой выбраны примесные атомы и дефекты по Шоттки и Френкелю. Получена система дифференциальных уравнений, позволяющая определить зависимости между различными параметрами термоэлектрического воздействия на кристалл и его состоянием, в частности, предпробойным.

6. Установлено, что неоднородность дислокационной структуры кристалла, обусловливающая перераспределение примесных и собственных точечных дефектов в нем, повышает склонность кристаллов к разрушению при микроиндентировании и лазерном облучении в участках скопления исходных краевых дислокаций в сравнении с участками скопления винтовых дислокаций и с бездислокационными участками.

7. Экспериментально показано, на кристаллах LiF, существование при микро-индентировании зависимости коэффициента интенсивности напряжений от ориентации индентора. Его максимальное значение соответствует ориентации диагонали d отпечатка параллельно направлениям

110. Предложен метод определения величины упругой деформации поверхности нагружаемого участка кристалла, заключающийся в измерении величины разрыва между отпечатком индентора и его меткой, оставленной им на противоположном берегу трещины скола.

Практическая значимость работы Полученные в работе экспериментальные данные, свидетельствующие о структурно-фазовых изменениях поверхностей ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии, могут быть полезны при установлении режимов эксплуатации изделий оптики из ионных кристаллов, работающих в условиях тепловых и электрических полей.

Предложен способ воздействия на ионные кристаллы (нагрев и электрическое поле), позволяющий быстро и качественно заживлять микро- и макротрещины в плоскостях первичной и вторичной спайности.

Обнаруженные при этом изменения поверхностей несплошности представляют самостоятельный научный интерес и могут способствовать более глубокому пониманию процессов на поверхности кристаллов и свойств самой поверхности. Один из этапов восстановления сплошности – рекомбинационная кристаллизация – может стать основой метода получения гетерогенных структур. Имплантация металла в кристалл этим способом может быть использована для направленного изменения физических свойств ионных кристаллов.

Обнаруженное состояние кристалла с локализованным в поверхностных слоях зарядом при «замороживании» можно использовать в качестве источника постоянных электрических полей, а также источников «аккумуляторных» токов.

Полученные в работе экспериментальные данные, свидетельствуют об изменении физических свойств локальных участков кристалла при индентировании, обусловленном его исходной дислокационной структурой.

Обнаруженное аномальное растрескивание кристаллов при индентировании, связанное с ориентацией индентора (d 110), существенно для понимания самого процесса микроиндентирования и имеет значение при определении коэффициента характеризующего трещиностойкость материала.

K1с, Предложенный метод определения величины упругой деформации поверхности кристалла при микроиндентировании позволяет повысить точность измерения деформаций, связанных с локальным воздействием и непрерывной регистрациией глубины внедрения индентора.

На защиту выносятся следующие положения

1. Закономерности структурно-фазовых превращений на поверхностях ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации и структурные изменения на поверхностях искусственно введенной в кристалл трещины скола, приводящие к ее залечиванию. Связь структурно-фазовых превращений с накоплением нескомпенсированного заряда, вызывающего нарушение стехиометрического соотношения состава кристалла.

Структурные изменения поверхностей трещины в процессе ее залечивания, обусловленные эмиссионным ионным током между ее берегами, механоэмиссией ионов и рекомбинационной кристаллизацией.

2. Процессы, протекающие в ионных кристаллах при нагреве в электрическом поле, характеризующиеся различными значениями энергии активации и накопление поверхностного заряда, зависящие от ретикулярной плотности поверхностей и массы катионов. Механизм накопления заряда в поверхностных слоях, зависящий от полярности, его аккумуляция и существование «аккумуляторных» токов на 5–6 порядков превышающих токи деполяризации при электретном эффекте.

3. Закономерности механического поведения ионных кристаллов с металлом, имплантированным при термоэлектрическом воздействии, проявляющиеся в изменении предела прочности, микротвердости, коэффициента упрочнения, а также физических свойств: диэлектрической проницаемости, коэффициента электрических потерь, удельной проводимости и морфологии его поверхностей, обусловленные формированием новых фазовых состояний за счет твердофазных химических реакций.

4. Механизм сращивания двух кристаллитов: однородных кристаллов с различной кристаллографической ориентацией и разнородных кристаллов, контактирующих плоскостями с одинаковыми кристаллографическими индексами, в условиях термоэлектрического воздействия, сопровождаемый структурно-фазовыми превращениями на контактирующих поверхностях, в обоих случаях, и образованием новых ионных соединений между ними – во втором.

5. Физическая модель кристалла в условиях термоэлектрического воздействия основанная на физических представлениях о состоянии кристалла с дефектами: примесными атомами, вакансиями, дефектами по Шоттки и Френкелю. Аналитическое прогнозирование залечивания и выбора оптимальных режимов воздействия на кристалл, не приводящих к его проплавлению.

6. Эффект влияния исходной дислокационной структуры ионных кристаллов на перераспределение примесных и собственных точечных дефектов в них, способствующий получению иных механических свойств в области образца со скоплениями исходных краевых дислокаций, в сравнении с остальными ее участками.

7. Явление аномального растрескивания при микроиндентировании пирамидкой Виккерса монокристаллов фтористого лития, заключающееся в стабильном образовании трещин на поверхности при ориентации диагонали отпечатка d||110. Механизм, объясняющий зависимость коэффициента интенсивности напряжений К1с от ориентации индентора при индентировании.

Метод, позволяющий фиксировать и оценивать количественно величину упругого прогиба поверхности индентируемого участка кристалла.

Апробация работы Результаты исследований докладывались на научных конференциях преподавателей и сотрудников ТГУ (1990–2012 г.г.); XII Всесоюзной конференции "Физика прочности и пластичности металлов и сплавов" (Куйбышев, 1989 г.); Всесоюзном семинаре "Пластическая деформация материалов в условиях внешних энергетических воздействий" (Новокузнецк, 1991 г.); II Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1994 г.); III Международной конференции "Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов" (Воронеж, 1994 г.); I Международной конференции "Актуальные проблемы прочности" (Новгород, 1994 г.); XIV Научной конференции "Физика прочности и пластичности" (Самара, 1995 г.); Международной конференции "Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений", (Тамбов, 1996, 2000, 2003, 2007, 2010, 2013 г.г.); IX Международной конфереции Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах, (Тула, 1997); Nondestructive testing and computer simulations in materials science (С.-Петербург, and engineering 1998); XXXIV, XXXV, XXXVII Международных семинарах «Актуальные проблемы прочности» (1998–2001);

II Всероссийской конференции молодых ученых «Физическая мезомеханика материалов» (Томск, 1999); 12 International Conference On The Strength Of Materials (Asilomar, USA, 2000); Международной конференции «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (Барнаул, 2000); КитайскоРоссийском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Пекин, КНР, 2001); V Международном семинаре «Современные проблемы прочности» им.

В.А. Лихачева (Старая Русса, 2001); EPS-12: General Conference Trends in Physics (Будапешт, 2002); V Международной конференции Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (Обнинск 2003); II Международной конференции по физике кристаллов Кристаллофизика века, 21-го посвященной памяти М.П. Шаскольской (Москва, 2003 г.); II Всероссийской научно-технической конференции «Физические свойства металлов и сплавов»

(Екатеринбург, 2003 г.); Eighth International Workshop on New Approaches to High-tech: Nondistructive Testing and Computer Simulations in Science and Engineering (Санкт-Петербург, 2004 г.); XI Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2004 г.); XLII Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Калуга, 2004 г.); 10 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Москва, 2004 г.);

4-ой Международной научной конференции «Современные достижения физики и фундаментальное физическое образование» (Казахстан, Алматы, 2005 г.); II Международной школе «Физическое материаловедение»; XVIII Уральской школе металловедов-термистов «Актуальные проблемы физического материаловедения сталей и сплавов» (Тольятти, 2006 г.); XVI Петербургских чтениях по проблемам прочности, посвященным 75-летию со дня рождения В.А. Лихачева (Санкт-Петербург, 2006 г.); Всероссийской школе-семинаре молодых ученых и преподавателей «Функциональные и конструкционные наноматериалы» (Белгород, 2008); XLVIII Международной конференции «Актуальные проблемы прочности» (Тольятти, 2009);

Пятнадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Кемерово, Томск, 2009); XVII Международной конференции «Физика прочности и пластичности материалов» (Самара, 2009); Третьей Международной конференции DFMN–09 (Москва, 2009); Первых и Вторых Московских чтениях по проблемам прочности материалов (Москва 2009;

Черноголовка Международных семинарах МНТ-X и МНТ-XI 2011);

«Структурные основы модифицирования материалов методами нетрадиционных технологий» (Обнинск, 2009, 2011); Третьей и Четвертой международной конференции «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» (Москва, Международном симпозиуме 2009, 2011);

«Перспективные материалы и технологии» (Витебск, 2009; Беларусь, 2012); Vой Евразийской научно-практической конференции «Прочность неоднородных структур» (Москва, 2010); XIX Петербургских чтениях по проблемам прочности (Санкт-Петербург, Международной научной 2012); VIII конференции и VIII Международной школы-конференции молодых ученых «Радиционно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»

(Китай, 2012); XII Международной школе-семинаре «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах» (ЭДС–2012) (Барнаул, 2012);

Международном симпозиуме «Перспективные материалы и технологии», посвященном 40-летию ИТА НАН Беларуси (Витебск, Беларусь, 2015) и др.

ГЛАВА ПОВЕДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ

1.

РАЗЛИЧНЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

1.1. Твердые электролиты Электролиты – твердые или жидкие вещества и системы, в которых присутствуют в заметной концентрации ионы, частично или полностью обусловливающие прохождение по ним электрического тока [8, 9].

К ним относятся ионные кристаллы – галогениды и отчасти оксиды металлов с преобладающим ионным характером связи, а также ряд сложных композиций и стекол [8–13]. Носителями тока в них являются анионы галогенидов [14] и кислорода, катионы серебра, меди, натрия, калия, кальция и ряда других металлов[11–15]; известны многочисленные протонные проводники [15, 16]; ряд соединений обладает проводимостью по нескольким сортам ионов.

К твердым электролитам относят твердые тела с «разбавленными растворами» точечных дефектов. Источником проводимости в них является образование и аннигиляция собственных дефектов – вакансий и атомов в междоузлиях. К кристаллам этого типа относят галогениды щелочных металлов, галогениды серебра Существует несколько вариантов [8].

классификации кристаллических ионных проводников по их дефектной структуре [8, 15].

По классификации, предложенной В.Н. Чеботиным и Л. М. Соловьевой [17], в зависимости от дефектной структуры различают твердые электролиты с собственной, примесной и структурной разупорядоченностью, и аморфной структурой.

Собственная разупорядоченность достигается за счет перехода части атомов из регулярных узлов кристаллической решетки в междоузлия.

Примесная разупорядоченность связана с наличием структурных дефектов, которое обусловлено компенсацией избыточного заряда, вносимого иновалентными примесями [17].

Существование в структуре твердого электролита позиций, доступных для ионов в одной из подрешеток [13], превышающих количество самих ионов обуславливает структурную разупорядоченность [17].

Для твердых электролитов с аморфной (некристаллической) структурой

– ионообменные смолы и стеклообразные материалы [8, 11] важной особенностью является отсутствие дальнего порядка в расположении атомов при сохранении ближнего порядка.

Наиболее исследованной группой кристаллических электролитов являются ионные кристаллы. Одна из причин хорошего понимания свойств ионных кристаллов – простая природа химической связи в них [18].

В настоящее время ионные кристаллы представляют состоящими из индивидуальных ионов [19], взаимодействие между которыми определяет все статические и динамические свойства [20, 21].

1.1.1. Диэлектрики в зонной теории Зонная теория – один из основных разделов квантовой теории твердых тел, которая описывает движение электрона в кристаллах [22]. Согласно этой теории электроны внешних энергетических зон имеют примерно одинаковую свободу движения во всех твердых телах независимо от того, являются они металлами или диэлектриками, так как их движение осуществляется путем туннельного перехода от одного атома к другому. Наличие свободных электронов является лишь необходимым условием проводимости у тел, но не достаточным.

В зонной теории проводники, диэлектрики и полупроводники по электрическим свойствам отличаются расположением разрешенных и запрещенных зон энергии и заполнением этих зон электронами.

Чем больше энергия электрона в изолированном атоме, тем шире разрешенная зона и меньше ширина запрещенной зоны. Последняя полностью заполненная электронами зона называется валентной зоной. Следующая за ней свободная зона или частично заполненная электронами при Т = 0 К, называется зоной проводимости.

Вследствие больших межъядерных расстояний в кристаллах галогенидов щелочных металлов характер энергетических зон в них отличается от картины энергетических уровней свободного электрона, которая используется при описании энергетических зон кристаллов металлов и соединений с ковалентной связью; они более похожи на энергетичексие уровни изолированных атомов [23].

Электропроводность твердого тела зависит не от числа валентных электронов, а от отношения числа электронов в зоне проводимости к общему числу энергетических уровней в этой зоне.

К проводникам относятся тела, у которых над полностью заполненной электронами валентной зоной располагается частично заполненная электронами зона проводимости.

Следовательно, достаточным условием проводимости тел является наличие в их энергетическом спектре разрешенных зон, заполненных электронами лишь частично.

К диэлектрикам и полупроводникам относятся тела, у которых при Т=0 К над полностью заполненными электронами валентными зонами находятся свободные зоны (зоны проводимости). Эти зоны разделены широкими запрещенными зонами. К ним относятся химические элементы, например, алмаз, кремний, германий, а также многие химические соединения - окислы металлов, нитриды и т.д.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 11 |
 
Похожие работы:

«ИЗ ФОНДОВ РОССИЙСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННОЙ БИБЛИОТЕКИ Карницкая, Элла Николаевна Формирование экономического механизма развития здравоохранения региона в условиях социально­ориентированной рыночной среды Москва Российская государственная библиотека diss.rsl.ru Карницкая, Элла Николаевна Формирование экономического механизма развития здравоохранения региона в условиях социально­ориентированной рыночной среды : [Электронный ресурс] : Дис. . канд. экон. наук : 08.00.05. ­...»

«ИЗ ФОНДОВ РОССИЙСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННОЙ БИБЛИОТЕКИ Карницкая, Элла Николаевна Формирование экономического механизма развития здравоохранения региона в условиях социально­ориентированной рыночной среды Москва Российская государственная библиотека diss.rsl.ru Карницкая, Элла Николаевна Формирование экономического механизма развития здравоохранения региона в условиях социально­ориентированной рыночной среды : [Электронный ресурс] : Дис. . канд. экон. наук : 08.00.05. ­...»

«Ботнарюк Марина Владимировна Организационно-экономический механизм повышения конкурентоспособности морских транспортных узлов на принципах маркетинга взаимодействия Специальность 08.00.05 «Экономика и управление народным хозяйством (маркетинг)» Диссертация на соискание ученой степени доктора экономических наук Научный...»

«ГОРПИНЧЕНКО Ксения Николаевна ОРГАНИЗАЦИОННО-ЭКОНОМИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ УПРАВЛЕНИЯ ИННОВАЦИОННЫМ ПРОЦЕССОМ: ТЕОРИЯ, МЕТОДОЛОГИЯ И ПРАКТИКА (на примере зернового производства) Специальность 08.00.05 – экономика и управление народным хозяйством: управление инновациями ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учной степени доктора экономических наук...»

«ГОРПИНЧЕНКО Ксения Николаевна ОРГАНИЗАЦИОННО-ЭКОНОМИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ УПРАВЛЕНИЯ ИННОВАЦИОННЫМ ПРОЦЕССОМ: ТЕОРИЯ, МЕТОДОЛОГИЯ И ПРАКТИКА (на примере зернового производства) Специальность 08.00.05 – экономика и управление народным хозяйством: управление инновациями ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учной степени доктора экономических наук...»

«Игнатенко Евгений Александрович МЕТОДИКА РАССЛЕДОВАНИЯ НЕЗАКОННОЙ ПЕРЕСЫЛКИ НАРКОТИЧЕСКИХ СРЕДСТВ Специальность: 12.00.12 – «Криминалистика; судебно-экспертная деятельность; оперативно-розыскная деятельность» Диссертация на соискание ученой степени кандидата юридических наук Научный руководитель: доктор юридических наук, доцент П.В....»

«АРТЕМЬЕВ АНДРЕЙ БОРИСОВИЧ Коррупция в механизме функционирования государства (теоретико-правовое исследование в рамках эволюционного подхода) Специальность 12.00.01 – теория и история права и государства; история учений о праве и государстве ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени доктора юридических наук Научный консультант: доктор юридических наук профессор С.А.КОМАРОВ...»

«КАСАТКИНА Наталия Александровна ФОРМЫ ГОСУДАРСТВЕННОГО УСТРОЙСТВА СОВРЕМЕННОСТИ: ТЕОРЕТИКО-ПРАВОВОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ 12.00.01 – теория и история права и государства; история учений о праве и государстве ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата юридических наук Научный...»

«ПАЛАНКОЕВ ИБРАГИМ МАГОМЕДОВИЧ Обоснование параметров технологии проходки шахтных стволов в искусственно замороженных породах Специальности: 25.00.22«Геотехнология (подземная, открытая и строительная)» 25.00.20 «Геомеханика, разрушение горных пород,...»

«Павлов Александр Борисович ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОПОДОГРЕВА ПОЛИМЕРНЫХ ТРУБОПРОВОДОВ 05.09.01 — Электромеханика и электрические аппараты Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель доктор технических наук профессор Плохов И.В. Псков 2015 ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1:...»

«Дундуков Михаил Юрьевич РАЗВЕДКА В ГОСУДАРСТВЕННОМ МЕХАНИЗМЕ США (ИСТОРИКО-ПРАВОВОЙ АСПЕКТ) Диссертация на соискание ученой степени доктора юридических наук Специальность: 12.00.01 — теория и история права и государства; история учений о праве и государстве Научный консультант: доктор юридических наук, профессор Томсинов Владимир Алексеевич МОСКВА ВВЕДЕНИЕ Глава 1. РАЗВИТИЕ РАЗВЕДЫВАТЕЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ В США (КОНЕЦ...»

«ЧЖАН ГОФАН ВЛИЯНИЕ РАЗГРУЗОЧНЫХ ПРОБ НА БИОМЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛАЗА ПРИ ПЕРВИЧНОЙ ОТКРЫТОУГОЛЬНОЙ ГЛАУКОМЕ 14.01.07 глазные болезни Диссертация на соискание ученой степени кандидата медицинских наук Научный руководитель: Д.м.н., Макашова Надежда Васильевна М о с к в а – 2016 ОГЛАВЛЕНИЕ Список сокращений ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА I. Обзор литературы Биомеханика склеры. 1. Терминология: понятия биомеханики, ригидности и...»

«КАСАТКИНА Наталия Александровна ФОРМЫ ГОСУДАРСТВЕННОГО УСТРОЙСТВА СОВРЕМЕННОСТИ: ТЕОРЕТИКО-ПРАВОВОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ 12.00.01 – теория и история права и государства; история учений о праве и государстве ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата юридических наук юридических наук...»

«Летнер Оксана Никитична ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ДИНАМИКИ АСТЕРОИДОВ, СБЛИЖАЮЩИХСЯ С ЗЕМЛЕЙ Специальность 01.03.01 – астрометрия и небесная механика Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико–математических наук Научный руководитель доцент, к.ф.-м.н. Л.Е. Быкова Томск – 2015 СОДЕРЖАНИЕ...»

«КРУПНОВ Леонид Владимирович МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ТУГОПЛАВКОЙ НАСТЫЛИ В ПЕЧАХ ВЗВЕШЕННОЙ ПЛАВКИ И СПОСОБЫ ЕЕ УСТРАНЕНИЯ Специальность: 05.16.02 – Металлургия черных, цветных и редких металлов ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель: к.т.н., доцент Роман Валерьевич Старых Санкт-Петербург, Норильск 2015 ОГЛАВЛЕНИЕ № стр. Введение.. 5 Особенности переработки...»

«ГОЛОЛОБОВА ОЛЕСЯ АЛЕКСАНДРОВНА ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОСОЕДИНЕНИЙ НЕКОТОРЫХ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ В ЖИДКОСТИ Специальность 01.02.05 механика жидкости, газа и плазмы Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель – д.т.н., В.Т. Карпухин Москва 2015 СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1....»

«Максимов Роман Александрович МЕХАНИЗМ ДЕЙСТВИЯ ПРАВА В ЧРЕЗВЫЧАЙНЫХ СИТУАЦИЯХ (Общетеоретический аспект) Специальность 12.00.01 – теория и история права и государства; история учений о праве и государстве Диссертация на соискание ученой степени кандидата юридических наук Научный руководитель – доктор юридических наук, доцент Фомин...»

«ДОМОЖИРОВА КСЕНИЯ ВАЛЕРЬЕВНА СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕХАНИЗМА УПРАВЛЕНИЯ КОМПЛЕКСНЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЕСНЫХ РЕСУРСОВ РЕГИОНА Специальность 08.00.05 – Экономика и управление народным хозяйством (региональная экономика) Диссертация на соискание ученой степени кандидата экономических наук Научный руководитель Доктор экономических наук, профессор Прудский Владимир Григорьевич Пермь 2015 СОДЕРЖАНИЕ Введение...»

«Ращектаев Александр Сергеевич Фармако-клиническое обоснование применения «Геприма для кошек» при жировом гепатозе 06.02.03 – Ветеринарная фармакология с токсикологией диссертация на соискание учной степени кандидата ветеринарных наук Научный руководитель: доктор ветеринарных наук, доцент Щербаков П.Н. Троицк – 2015 Оглавление Перечень сокращений в диссертации ВВЕДЕНИЕ Обзор литературы 1. 1.1 Гепатопротекторы....»

«АРОНОВ ГЕОРГИЙ ЗАЛМАНОВИЧ ФОРМИРОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА И ДОСТУПНОСТИ УСЛУГ СФЕРЫ ФИЗИЧЕСКОЙ КУЛЬТУРЫ НА ОСНОВЕ МУНИЦИПАЛЬНО-ЧАСТНОГО ПАРТНЁРСТВА Специальность 08.00.05 Экономика и управление народным хозяйством (экономика, организация и управления предприятиями, отраслями, комплексами: сфера услуг) Диссертация на соискание...»









 
2016 www.konf.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, диссертации, конференции»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.