WWW.KONF.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Авторефераты, диссертации, конференции
 

Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |

«ГАДОЕВ САБЗААЛИ МУХШУЛОВИЧ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ Специальность 01.04.07 – физика ...»

-- [ Страница 1 ] --

ТАДЖИКСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

УДК-621.382.019.39+315.592

ГАДОЕВ САБЗААЛИ МУХШУЛОВИЧ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ

СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПРИ

ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ



Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Научный консультант:

доктор технических наук, профессор Скоробогатов П.К.

Душанбе - 2015

СОДЕРЖАНИЕ

стр

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Литературный обзор. Образование радиационных нарушений в твердых кристаллических телах при облучении

1.1 Введение ……………………………………………………………

1.2 Пороговая энергия образования радиационных дефектов ……… 14 Первычные эффектные смещения атомов в узлах при 1.3 электронном облучении ………………………………………… Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении …… 1.4 Возбуждение неравновесных электронов и дырок при 1.5 облучении. …………………………………………………………

1.6 Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре (p-n переходе) …………………………………………………………… Радиационные эффекты в полупроводниках при облучении их 1.7 малыми дозами облучения ……………………………………… Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые 1.8 изделия …………………………………………………………….

Заключение ………………………………………………………… Глава 2. Поверхностные радиационные явления в полупроводниковых структурах Поверхностные радиационные эффекты в полупроводниковых 2.1 структурах………………

Деградационные эффекты в облученных структурах …………..

2.2 Поверхностные радиационные явления в структурах с 2.3 инжекционным питанием ………………………………………… Вторичные ионизационные эффекты в полупроводниковых 2.4 структурах………………………………………………………… Заключение ………………………………………………………… Глава 3. Использование ионизирующего излучения в технологии полупроводниковых структур и изделий

3.1 Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы…. 83 Влияние радиации на интегральные микросхемы ТТЛ и ТТЛШ типа <

–  –  –

Сокращения и условные обозначения БИС - большая интегральная микросхема ЗУПВ - запоминающее устройство с произвольной выборкой ИМС - интегральные микросхемы И2Л - интегральная инжекционная логика ИИИ - импульсное ионизирующее излучение ИР - ионизационная реакция КМДП - комплементарные металл–диэлектрик - полупроводник ЛСМ - лазерный сканирующий микроскоп ЛИ - лазерное излучение НЗ - носители заряда ОУ - операционные усилители РЭА - радио электронная аппаратура РЗ - радиационное защелкивание СБИС - сверх большая интегральная микросхема СИС - микросхемы средней степени интеграции ТТЛ - транзисторно - транзисторные логические микросхемы TRANAC - программа двухмерного анализа ЭЗ - электрическое защелкивание ЭС - эквивалентная схема ЭСЛ - эмиттерно-связанная логическая микросхема МДП - металл-диэлектрик-полупроводник МОП - металл- окисел - полупроводник

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Большие функциональные возможности и высокие эксплуатационные характеристики обусловливают широкое применение полупроводниковых структур в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА), в том числе, используемой в различных устройствах ядерной энергетики, космической технике и физическом эксперименте. Накопленный к настоящему времени обширный теоретический и экспериментальный материал показывает высокую чувствительность полупроводниковых устройств к воздействию различного рода ионизирующих излучений, характерных для условий работы аппаратуры такого типа. Поэтому проблема обеспечения радиационной стойкости аппаратуры на полупроводниковых структурах за последние годы стала одной из важнейших среди комплекса других традиционных проблем, связанных с проектированием высоконадёжной и стабильной РЭА.

Современные исследования в этой области показывают, что разнообразие технологий полуроводниковых структур, особенностей схемотехнического и конструктивного исполнения микросхем, их функциональной реализации и условий применения приводит к существенному различию в характере поведения конкретных полупроводниковых структур под действием радиации.





В связи с этим для проектирования радиационностойких полупроводниковых структур и устройств на их основе необходимо располагать подробной информацией не только о физике радиационных процессов в материалах электронной техники, но и об особенностях их проявления в различных интегральных структурах (ИС), не только о зависимости основных параметров ячеек (ИС) от облучения, но и о влиянии схемотехнической, структурной и функциональной организации полупроводниковых структур на их радиационную стойкость, и, наконец, не только об изменении под действием радиационных факторов статических, динамических и функциональных характеристик полупроводниковых структур как самостоятельного объекта, но и о зависимости радиационного поведения этих характеристик от условий применения изделия в составе РЭА, включая особенности режима работы, аппаратной и алгоритмической реализации устройства. К сожалению, на сегодняшний день вопросы адекватности используемых радиационных моделей реальным свойствам анализируемого объекта проработаны явно недостаточно. Из вышеизложенного следует, что поскольку полупроводниковые структуры, используемые в РЭА, средствах автоматики и вычислительной техники могут и должны работать в жёстких условиях эксплуатации (температурные и радиационные поля, среда и т.д.), поэтому исследования изменений характеристик полупроводниковых структур ИС в этих условиях являются важными и актуальными научно-техническими задачами.

Цель и задачи исследования. Целью работы является исследование влияния ионизирующих излучений на физические свойства полупроводниковых структур и приборов различных технологий, а также анализ работы микросхем в жёстких условиях эксплуатации, их диагностика с помощью приёмов физического моделирования.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование процессов образования радиационных нарушений в твёрдых кристаллических полупроводниковых телах при облучении их различными видами ионизирующих излучений и мощности.

2. Изучение влияния облучения на параметры полупроводниковых структур и приборов с целью установления пороговых доз для различных серийных элементов ИС.

3. Оценка работоспособности элементов полупроводниковых структур и приборов при воздействии на них дестабилизирующих факторов.

4. Изучение влияния различных видов излучения на полупроводниковые структуры и интегральные микросхемы различных технологий.

5. Исследование эффекта защёлкивания вполупроводниковых структурах при их работе в полях дестабилизирующих факторов (температура, радиация и др.) в зависимости от электрического режима.

Научная новизна работы

- Впервые выполнено многоплановое исследование радиационных эффектов (поверхностных и объёмных) в полупроводниковых структурах различных технологий и их элементов в зависимости от режима работы в полях дестабилизирующих факторов.

- Показано, что радиационное воздействие оказывает сильное влияние на параметры элементов структуры полупроводниковых изделий и приборов, а также на режим их работы.

- Установлено, что полупроводниковые структуры, подвергнутые различным видам облучения, характеризуются наличием пороговой дозы облучения, по достижении которой происходит деградация рабочих режимов.

- Выявлено, что все серийные полупроводниковые структуры различных технологий также характеризуются пороговыми дозами облучения, превышение которых обусловливает возникновение и увеличение радиационных сбоев.

- Установлено, что проявление радиационных эффектов (особенно радиационных сбоев) в полупроводниковых структурах и их элементах зависит от влияния внешних дестабилизирующих факторов (радиации, температуры, электрических режимов и др.).

- Установлено, что на возможность возникновения эффекта защёлкивания, помимо конструктивно-технологического исполнения отдельных паразитных структур, влияет схемотехническая и функциональная организация, а также условия возбуждения полупроводниковых структур в целом.

- Развита и предложена новая система анализа, проектирования и испытаний ИМC с учётом эффекта защёлкивания на основе экспериментального моделирования, включающего комплекс совместимых физических, электрических и функциональных моделей.

- Разработана методика выявления радиационного защёлкивания в полупроводниковых структурах и приборах с целью оценки их работоспособности в жестких условиях эксплуатации.

- Предложена методика имитационных (лазерных) испытаний и определения параметров используемых моделей.

Научно-практическая значимость. Научная и практическая значимость работы заключается в том, что приведенные в ней результаты экспериментального и теоретического характера по излучению влияния ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры и приборы различных типов и технологий могут быть использованы для создания технологий проиводства приборов опто- и микроэлектроники. Полученные результаты позволяют прогнозировать и наметить пути повышения радиационной стойкости полупроводниковых структур и открывают новые перспективы для создания более современных ИC, отвечающих потребностям новейшей техники. Результаты работы внедрены в НИИТТ при разработке БИС ПЗУ высокой информационной ёмкости (г. Москва).

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследований по излучению влияния различных видов ионизирующего облучения на дискретные элементы полупроводниковых структур, оценка основных электрофизических параметров, характеризующих их работоспособность в поле излучений и других дестабилизирующих факторов.

2. Определение для каждого элемента полупроводниковых структур различного технологического происхождения пороговой дозы облучения, после достижения которой происходит изменение их рабочих параметров.

3. Установление влияния поверхностных радиационных эффектов на функциональную деятельность полупроводниковых структур различных технологий, работающих в полях ионизирующих излучений.

4. Экспериментальное обоснование эффекта защёлкивания в полупроводниковых структурах при их работе в полях дестабилизирующих факторов (температура, радиация и др.) в зависимости от электрического режима и др.

5. Разработка методики проведения экспериментов на лазерном имитаторе, которая позволяет надёжно контролировать проявление эффекта защёлкивания в многослойных полупроводниковых структурах в широком диапазоне интенсивности излучения и температуры, режимов работы ИМC и др.

Достоверность результатов. Достоверность полученных результатов обеспечивалась применением современных информативных и надёжных физических методов исследования структуры, электрофизических свойств и радиационной стойкости полупроводниковых структур и приборов, а также хорошим согласием полученных в работе результатов с данными других исследователей.

Личный вклад автора определяется на всех этапах научного исследования, как при постановке задачи, так и при непосредственном выполнении комплексных технологических, структурных и электрофизических исследований полупроводниковых структур, приборов и ИМС, изучении их стабильности в полях дестабилизирующих факторов.

Апробация результатов работы. Результаты работы доложены и обсуждены на следующих конференциях: Всесоюзной конф. по исследованию полупроводниковых материалов в твёрдом и жидком состояниях (Душанбе, 1989); Всесоюзной конф. по проблемам создания полупроводниковых приборов ИС и РАЭ на их основе, стойких к ВВФ (Петрозаводск, 1991); Всесоюзной конф. по исследованию полупроводниковых материалов в твёрдом состоянии (Душанбе, 1992);

республиканской конф. по физико-химическим основам получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состояниях (Куляб, 1992); международной конф., посвященной 50-летию ТГНУ и 70-летию профессора Нарзуллоева Б.Н. (Душанбе, 1997);

международной конф., посвящённой 80-летию Сулеймонова И.С. (Душанбе, ТТУ, 1997); международной конф. по физике конденсированного состояния (Душанбе, 1998); научно-теорет. конф., посвященной 50-летию ТГНУ (Душанбе, 1999); республиканской конф., посвящённой 1100-летию государства Саманидов (Душанбе, 1999); республиканской конф. по физике конденсированных сред, посвящённой памяти профессора Б.Г. Гафурова (Душанбе, 1999); международной конф. посвящённой 90-летию академика Гафурова Б.Г. (Худжанд, 2002); научно-теорет. конф. профессорскопреподавательского состава ТГНУ (Душанбе, 2002); международной конференции по физике конденсированного состояния и экологических систем (ФКС и ЭС), ФТИ им.С.У. Умарова АН РТ (Душанбе, 2004);

международной конф. по физике конденсированного состояния, посвященной 100-летию теории относительности А. Эйнштейна (Душанбе, 2005); международной конф., посвящённой 60-летию ТНУ (Душанбе, 2008 г.); научно-теорет. конференции профессорско-преподавательского состава ТНУ, посвящённой 18-ой годовщине независимости Республики Таджикистан (Душанбе, 2009); республиканской научной конф. «Проблемы современной координационной химии», посвященной 60-летию члена-корр.

АН РТ, профессора Аминджанова А.А. ( Душанбе, 2011); республиканской научно-практ. конф. «Перспективы энергетики Таджикистана», посвящённой 55-летию ТТУ им. академика М.С.Осими (Душанбе, 2011); республиканской научно-практ. конф. посвящённой 70-летию проф. Бобоева Т.Б.,ТНУ, (Душанбе, 2012); материалы межд. конф. посвящ. 55-летию кафедры ядерной физики. ТНУ, (Душанбе,2014).

По теме диссертации опубликована 51 научная работа, в том числе 24 статей, 27 тезисов докладов, одна книга. Диссертационная работа выполнялась в соответствии с планами НИР кафедры физической электроники ТНУ, зарегистрированными в ВНИТИ Центре при Госкомитете по науке и технике за номерами госрегистрации № 49000000645 (1999), №

0103.ТД007 (2002). Все исследования, результаты которых представлены в диссертации, выполнены автором.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, общего заключения, списка цитированной литературы. Объем диссертации составляет 223 страницы машинописного текста, иллюстрированного 119 рисунками и 10 таблицами.

ГЛАВА I

ЛИТЕРАТКРНЫЙ ОБЗОР. ОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ

НАРУШЕНИЙ В ТВЕРДЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛАХ ПРИ

ОБЛУЧЕНИИ

1.1. Введение Проникающие излучения все в большей степени используются в различных областях науки и техники. Источниками проникающей радиации могут быть радиационные пояса Земли, космические излучения, атомные энергетические установки, ускорители, гамма - установки, рентгеновские и другие аппараты, создающие потоки электронов, гамма – квантов, нейтронов, тяжелых заряженных частиц. Под воздействием проникающей радиации изменяют свойства в основном все материалы: менее прочными становятся металлы, теряют прозрачность стекла, ухудшаются электрические характеристики полупроводников и др. Поэтому особую актуальность и важность приобретают исследования радиационных нарушений, а также изыскание путей повышения радиационной стойкости материалов и изделий.

Опыт показывает, что полупроводниковые материалы обладают относительно низкой радиационной стойкостью по сравнению, например, с металлами. Радиационные эффекты в полупроводниках (смещения атомов, ионизация, ядерные реакции, поверхностные явления) приводят к деградации характеристик и сокращению срока работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС) в полях проникающей радиации, а в конечном счете к сбоям в работе и выходу из строя радиоэлектронной аппаратуры [1-3].

Вместе с тем полупроводниковые структуры все шире применяются в радиоэлектронной аппаратуре, в том числе предназначенной для работы в условиях облучения. Преимущество ИМС по сравнению с дискретными приборами состоит в том, что микросхемы имеют малые габариты и массу, минимальную потребляемую мощность и достаточно высокую надежность.

Успешно проводятся работы по увеличению степени интеграции микросхем и улучшению их рабочих характеристик, что привело к созданию больших (БИС) и сверхбольших (СБИС) интегральных микросхем, которые представляют собой целые функциональные узлы вычислительных устройств, из более простых ИМС.

1.2. Пороговая энергия образования радиационных дефектов Оценка радиационных повреждений интегральных микросхем невозможна без ясного представления о механизме образования радиационных дефектов и процессах ионизации в исходных материалах. В настоящее время получены обширные теоретические и экспериментальные данные о влиянии проникающей радиации на твёрдые тела [4 ].

Образование смещённых атомов в твердых телах рассматривают как два процесса это, во-первых, создание смещений при непосредственном взаимодействии излучения с твёрдым телом и, во-вторых, образование вторичных смещений, атомом, т.е энергию для необходимую для необратимого смещения атома из узла кристаллической решетки в междоузлие. Эту энергию обычно называют пороговой энергией смещения Ed. По оценкам [4] величина Ed=25 эВ для кристаллов с энергией связи атомов, близкой к 10 эВ.

Значение Ed получено следующим образом. Энергия сублимации атома Ес в твердом кристалле равно половине энергии связи атомов, т.е. примерно 5 эВ, так как возгонка происходит с поверхности кристалла, и для отрыва атома достаточно преодолеть лишь половину межатомных связей. Но это верно только в том случае, если атом перемещается из узла решетки по траектории наименьшего сопротивления в некоторое междоузельное положение, позволяя тем самым соседним атомам вернуться в исходное положение. В действительности смещенный атом получает резкий удар и перемещается не по линии наименьшего сопротивления. В результате соседние атомы не успевают релаксировать. Реальной оценкой значения энергии, затрачиваемой при этом, будет 5Ес, т. е. Еd=25 эВ.

–  –  –

1.3. Первичные эффектные смещения атомов в узлах при электронном облучении Если рассматривать реальную кристаллическую решетку твёрдого тела, то очевидно, что Ed будет зависеть от направления движения выбитого атома в кристаллической решетке и меняться в зависимости от места, занимаемого этим атомом внутри решетки. Обычно величину Ed определяют, облучая материал монохроматическим излучением, чаще электронами. Энергия излучения, при которой начинает изменяться какой-либо наиболее чувствительный параметр материала, например время жизни неосновных носителей в полупроводниках, соответствует пороговой энергии смешений.

Существенное влияние на величину пороговой энергии смещений атомов оказывает температура, при которой происходит облучение. С ростом температуры отклонения атомов возрастают, и при температуре плавления они таковы, что происходит фазовый переход. Поэтому предполагается, что с образованием дефектов в возбужденной области возникают аналогичные условия, при которых средние квадратичные отклонения атомов будут почти таким же, как и при температуре плавления. Приведенные в табл.1.1 экспериментальные значения пороговых энергий смещения некоторых полупроводников достаточно близко совпадают с предскзанными теорией.

При рассмотрении механизма образования смещений не принимались во внимание эффекты, связанные с кристаллографией решетки.

Теоретические и экспериментальные работы показывают, что пороговая энергия смещений в некоторой степени зависит от кристаллографического направления удара. Заслуживает внимания также учет эффекта каналирования частиц при рассмотрении процессов образования радиационных дефектов. Робинзон и Оэн сделали в каскадной теории Кинчина-Пиза учет вероятности каналирования частиц, который дал количество смещенных атомов почти в два раза меньше, чем без такого учета.

Загрузка...
В действительности могут создаваться такие ситуации, когда нарушения, возникающие в результате облучения, охватывают группы атомов. Это связано с тем, что значительная энергия, переданная одному атому быстрыми частящими, может распределяться между соседними атомами. В этом случае образуются целые области радиационных нарушений. В полупроводниках такие дефекты называют областями разупорядочения. Этот тип дефектов, по-видимому, особенно сильно влияет на надежность интегральных микросхем.

1.4. Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении При облучении гамма-квантами, так же как и быстрыми электронами, происходят смещения атомов и образование дефектов типа пар Френкеля.

Однако вероятность непосредственного взаимодействия гамма-квантов с ядрами атомов мала. Обычно образование смещений атомов при гаммаоблучении обусловливается действием быстрых электронов, возникающих в результате фотоэффекта, эффекта Комптона и образования электроннопозитронных пар. В области энергий гамма-квантов менее 5 МэВ преобладает эффект Комптона. При более высоких энергиях наряду с этим эффектом существенную роль начинает играть образование электронно-позитронных пар. В кремнии при облучении гамма-квантами 60Со со средней энергией ~ 1,25МэВ комптоновское рассеяние образует электроны со средней энергией ~ 0,59МэВ. Расчет количества смещений под действием гамма - квантов начинается с расчета числа быстрых электронов и электронно-позитронных пар, возникающих под действием гамма-квантов. Вклад фотоэффекта в образование радиационных дефектов незначителен. Затем при вычислении количества смещенных атомов необходимо пользоваться рассмотренной выше теорией образования смещений под действием быстрых электронов. Число электронов, образующихся в 1 см3 вещества в результате эффекта Комптона при облучении гамма – квантами, определяется выражением n = c, (1.1) где - флюенс гамма – квантов с энергией ; N – концентрация атомов в 1см3 вещества; с - поперечное сечение образования комптоновских электронов с энергией Ee, отнесенное к одному атому.

Поперечное сечение комптоновского рассеяния определяется формулой

–  –  –

где-dE/dx-потери энергии комптоновских электронов; e - средняя энергия комптоновских электронов.

Сделанные оценки числа смещений в 1 см3 кремния под действием Со ( ~1,25МэВ ) дают значения d ~5 10 3 при Ed=30 эВ и гамма-квантов d ~3 10 2 при Ed=15 эВ. Обнаруживается сильная зависимости количества смещенных атомов от выбранной пороговой энергии смещений.

Наряду с ударным механизмом смещений атомов, который является основным, при облучении гамма-квантами и заряженными частицами может иметь место ионизационный механизм образования радиационных дефектов.

В результате свойства некоторых полупроводниковых материалов могут изменяться под действием радиации «допороговых» энергий. Модель ионизационного механизма образования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах была предложена Варли. Согласной это модели, при облучении кристаллы или некоторые полупроводниковые соединения, отдельные отрицательные ионы могут лишаться двух и более электронов и в результате такой многократной ионизации приобретать положительный заряд. Образовавшийся положительный ион может быть смещен соседними положительными ионами в междоузлие. Однако вопрос о «допороговых»

эффектах образования радиационных дефектов в полупроводниках во многом остается спорным.

1.5. Возбуждение неравновесных электронов и дырок при облучении Возникающие под действием ионизирующих излучений неравновесные электроны и дырки в полупроводниках и диэлектриках могут влиять на функционирование дискретных полупроводниковых приборов и ИМС. В этой связи представляют интерес рассмотреть в общих чертах физические явления, в результате которых энергия ионизирующих излучений (электронов, протонов, -квантов и др.) преобразуется в энергию неравновесных носителей тока.

Основная причина возникновения неравновесных электронов и дырок в твердом теле при облучении ионизация. Физический механизм при ионизации кулоновские взаимодействие быстрых заряженных частиц с электронами оболочек атомов вещества. При облучении нейтронами, которые не взаимодействуют с электронными оболочками атомов, также может иметь место ионизация, но в этом случае она является вторичным процессом, связанным с образованием смещенных ионов, а также ядер отдачи, возникающих при ядерных реакциях. При облучение гамма-лучами образуются быстрые комптоновские и фотоэлектронные, а также электронно-позитронные пары. Количественной характеристикой ионизационных процессов являются удельные потери энергии, определяемые величиной dE/dx (E-энергия частицы, х-координата частицы на ее траектории). При сравнительно высоких энергиях эти потери доминируют. Потери энергии на смещение атомов малы и составляет менее 1/1000 от полных потерь. Энергия возбужденного электрона может быть любой, если электрон оказывается вне атома, или приобретает определенные (дискретные) значения, если электрон не отрывается от атома, а лишь переходит в возбужденное состояние. При ионизации в газах возникают свободные электроны и положительные ионы, а потери энергии, идущие на ионизацию, принят называть ионизационными. В твердых телах, например в полупроводниках и диэлектриках, по аналогии с газами вводится понятие «внутренней ионизации», которая соответствует переходу валентных электронов в зону проводимости. Образующиеся таким образом избыточные электроны и дырки «свободны» лишь в пределах кристалла.

Важнейшие характеристики ионизационных процессов удельные потери энергии и средняя энергия ионизации рассматривались теоретически и экспериментально в ряде работ [5,6]. Зная эти характеристики, можно рассчитать для данного полупроводника количество неравновесных носителей заряда при ионизации. Заметим, что бомбардирующие заряженные частицы с энергией, превышающей некоторое критическое значение, начинают терять энергии больше на тормозное излучение, чем на ионизацию.

Например, критическое значение энергии электронов при облучении кремния равно 28 МэВ, а германия-11 МэВ.

Исходя из того, что почти вся потерянная частицей энергия (поглощенная энергия) расходуется на ионизацию, можно подсчитать максимально возможное количество электронно-дырочных пар, возникающих в 1 см3 полупроводника или диэлектрика в 1 с:

nи = (dE / dx) / Eи, (1.4) где - плотность потока ионизирующего излучения (см-2 5 с-1); Еи- средняя энергия ионизации; dE/dx-удельные потери энергии. Средняя энергия ионизации для данного вещества-постоянная величина, равная энергии, расходуемой на образование одной электронно-дырочной пары.

1.6. Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре Как было отмечено выше при воздействии проникающей радиации на полупроводник в нем будут возникать неравновесные электронно-дырочные пары. Вследствие ионизации примесного полупроводника концентрация основных носителей будет относительно возрастать, но в значительно меньшей степени, чем концентрация не основных. Например, кремний nтипа, имеющий равновесную концентрацию основных носителей nn = 5 1014 см-3, имеет при комнатных температурах концентрацию не основных носителей, определенную из выражения nnpn=ni2 (ni-концентрация носителей при собственной проводимости), равную pn=4 1011см-3. Тогда при образовании вследствие ионизации 5 1011 см-3 неравновесных электронно-дырочных при концентрация основных носителей увеличится всего на 0,1%, а не основных-примерно в 1,2 106 раза.

Электронно-дырочные пары, возникающие в области объемного заряда p-n- перехода, полностью собираются электрическим полем p- n- перехода, образуют ток, которой не имеет временной задержки по отношению к воздействию излучения, так как время переноса носителей через область p-n-перехода мало и составляет величину ~10-10 с. Неосновные носители, возникающие в полупроводнике за пределами области объемного заряда, собираются лишь частично и с некоторой задержкой во времени по отношению к воздействию излучения. При этом вклад в ток ионизации дают лишь те носители, которые возникают на расстоянии, не привышающей диффузионную длину от области объемного заряда. Электрический ток, обуслов-ленный ионизацией, по направлению совпадает с токам насыщения p-n- перехода и таким образом увеличивает обратный ток диода. Выражение для тока ионизации, возникающего в структуре с p-n- переходом, можно записать в виде (1.5) И = qn И Ax,

–  –  –

где d0-ширина области объемного заряда p-n-перехода; Lp, Ln- диффузионная длина дырок и электронов соответственно.

Заметим, что для несимметричных p-n-переходов с базой n-типа Lp Ln. Для простоты величиной Ln можно пренебречь. Аналогично можно пренебречь Lp для несимметричных p-n-переходов с базой p-типа. При облучении жесткими излучениями полупроводниковых приборов с p-n-переходами диффузионная длина неосновных носителей заряда будет уменьшаться

–  –  –

где t-время; tи-длительность импульса излучения; p -время жизни не основных носителей (дырок).

Оценки показывают, что для короткозамкнутого кремниевого р-n перехода плотность ионизационного тока составляет около 25 нА/см2 на 1 рад/с.

В реальных полупроводниковых приборах с р-n-переходами проникающее излучение мощностью дозы ~1010 рад/с может вызвать ионизационные токи в несколько десятков ампер.

Время спада фронта импульса ионизационного тока в р-n-переходе значительно превышает время спада импульса ионизирующей радиации. В ИМС этот процесс запаздывания выражен еще больше.

Ионизационные токи приводят не только к перераспределению потенциалов в микросхемах, но и к перегреву их отдельных элементов, что может стимулировать тепловой пробой обратно смещенных р-n-переходов.

1.7. Радиационные эффекты в полупроводниках при облучении их малыми дозами облучения Сравнительно недавно было обнаружено, что путем облучения малыми дозами можно улучшить некоторые параметры полупроводниковых материалов и изделий на их основе. Дело в том, что реальный полупроводниковый кристалл или структура с p-n-переходами обычно находятся в неравновесном неупорядоченном состоянии и содержат достаточно большую концентрацию ростовых и технологических дефектов. Оказалась, что под действием малых доз облучения, когда концентрации вводимых радиационных дефектов малы, может происходить улучшение равновесности и упорядочение структуры недостаточно совершенных кристаллов, а также p

- n – переходов и, как следствие, улучшение их электрических характеристик.

В работе [2] было обнаружено увеличение времени жизни неосновных НЗ в кремниевых p-n-переходах, легированных золотом, под действием сравнительно небольших флюенсов электронов (~1·1013 см-2) с энергией 1 МэВ. Снижение обратного тока под действием малых доз облучения вопреки обычному его увеличению при больших дозах наблюдали авторы работы [2] в кремниевых p-n–переходах. Снижение обратных токов диодов на основе фосфида галлия под действием облучения отмечалось также в работе [2].

Объяснений этим явлениям тогда не было. Влияние малых доз электронного облучения на увеличение подвижности в отличие от обычного ее снижения при больших дозах впервые наблюдали в высокоомном кремнии авторы работы [3]. Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе электронами с энергией 25 МэВ при комнатных температурах, плотность потока составляла 1·1012 см-2· В-1.с-1. Измерения параметров проводились при 150 К. При облучении образцов флюенсом электронов 2·1013 см-2 холловская подвижность возросла примерно в 3,3 раза: с 0=3·103 см-2·В-1· см-2 до 0=104 см-2·В-1· см-1 (рис. 1.1). Здесь также представлены зависимости изменения константы Холла и удельного сопротивления.

Столь резкое увеличение подвижности объясняется уменьшением концентрации примесных рассеивающих центров под действием малых доз электронного облучения, влияние которых особенно резко проявляется в области низких температур.

При рассасывании неоднородностей большое значение имеют образование незначительной концентрации радиационных дефектов и наличие ионизации. Вероятно, основную роль в рассасывании неоднородностей здесь играет диффузионный механизм. При флюенсах облучения свыше 3·1013 см-2 подвижность начинает уменьшаться вследствие вклада в процесс рассеяния возросшей концентрации радиационных дефектов.

Рис. 1.1. Зависимости коэффициента Холла (1), удельного сопротивления (2) и холловской подвижности НЗ (3) высокоомного кремния от флюенса электронов при Ee=25 МэВ T=150K.

Дальнейшее увеличение дозы облучения приводит к появлению характерного максимума на температурной кривой =(Т), связанного с влиянием на рассеяние в кремнии радиационных дефектов, в том числе и областей разупорядочения.

Эффект малых доз облучения, как и больших, представляет практический интерес с точки зрения использования его для корректировки параметров полупроводниковых материалов и изделий на их основе, в том числе интегральных микросхем.

1.8. Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые изделия Взаимодействуя с элементной базой, ионизирующее излучение способно вывести из строя целые узлы и блоки оборудования. Для повышения радиационной стойкости применяют следующие методы:

1. Вмешательство в технологический процесс или создание нового с целью получения радиационно-стойких радиокомпонентов.

2. Отбор из существующей уже элементной базы изделий, которые удовлетворяют требованиям радиационной стойкости.

3. Схематические решения, позволяющие исключить или ослабить негативные процессы после воздействия ионизирующего излучения.

Изделия получаемые по первому методу не могут удовлетворять тот рынок спроса, который существует сейчас. Второй метод в сочетании с третьем дает хорошие результаты [7] и способен удовлетворить тем требованиям, которые предъявляется для радиационностойких изделий. Отбор элементной базы (в частности транзисторы, диоды, стабилитроны) целесообразно производить по их основным параметрам. Для транзисторов это коэффициент усиления h21e, для диодов, это обратный ток Iобр, а для стабилитронов-это напряжение стабилизации Uст. Поскольку предприятия прибороизготовители используют элементную базу, хранящуюся у них на складах зачастую и десятилетний давности, а в некоторых случаях эта цифра может быть увеличена, возникает необходимость в проведении испытаний элементной базы с учетом их года выпуска.

Ряд теоретических и экспериментальных работ [2,8,9] по исследованию влияния облучения на полупроводниковые транзисторы показывают, что ни один из характерных параметров не остается неизменным. Так, с увеличением дозы облучения пропорционально возрастают входное сопротивление h11, коэффициент обратной связи h12, выходная проводимость h22. Однако, вызванные облучением изменения этих параметров не являются функцио-нально независимыми и определяются в большинстве случаев теми же процессами, которые служат причиной радиационного изменения основных параметров транзисторов: коэффициент передачи тока эмиттера, обратного тока коллектора.

Экспериментально установлено, что деградация параметров транзисторов при облучении происходит не только вследствие структурных повреждений кристаллической решетки, но и в результате изменения поверхностных свойств кристаллов [10,11]. В основе поверхностных радиационных эффектов лежат ионизационные явления в активном слое кристалла и окружающей среды, а именно: уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда в базовой области, снижение их концентрации и подвижности в структуре транзистора. Известно, что основные параметры

– коэффициент передачи тока эмиттера (базы) и обратной ток коллектора – наиболее чувствительны к состоянию поверхности кристалла транзистора.

Выражение для коэффициента передачи тока эмиттера имеет вид [2]

–  –  –

где б и э – проводимость базовой и эмиттерной областей, Wб – толщина базы, Lр и Ln – диффузионные длины неосновных носителей заряда (электронов и дырок соответственно), Sэ – площадь эмиттера, Ss – эффективная площадь, на которой происходит поверхностная рекомбинация, s – скорость поверхностной рекомбинации, Др – коэффициент диффузии дырок.

Из (1.8) видно, что h21e с увеличением дозы облучения уменьшается в результате снижения диффузионной длины неосновных носителей заряда в базе и роста скорости поверхностной рекомбинации. Многие эксперименты подтверждают линейную зависимость коэффициента h21e от величины дозы облучения:

( 1,9) h21ф = h21о tпер (Ф / К ) где h210-до облучения, Ф-интегральный поток облучения, tпер=2,43/4 h21е-время переноса носителей заряда от эмиттера к коллектору, fh21e -граничная частота усилителя транзистора, при которой h21e уменьшается в 2 раза, К-радиационная константа изменения времени жизни неосновных носителей заряда, зависящих от скорости введения радиационных центров, степени заполнения связанной с положением энергетического уровня Ферми, и от концентрации основных носителей заряда.

Однако, с увеличением интегрального потока облучения величины к и tпер изменяются, поэтому линейность изменения при больших дозах нарушается. Снижение концентрации неосновных носителей заряда в полупроводнике при облучении обусловливает расширение области объемного заряда p-n перехода [ 10 ], что приводит к уменьшению эффективной толщи-ны базы. При больших интегральных потоках может иметь место смыкание коллекторного и эмиттерного переходов, вызывающих пробой базы.

Коэффициент передачи тока эмиттера однозначно связан с коэффициентом передачи тока базы h21б, следовательно, при облучении с уменьшением h21e уменьшается h21б:

h21еф h21бф = ( 1.10) 1 h21eф Таким образом, образование дефектов при облучении транзисторов ведет к уменьшению коэффициента передачи тока, что ухудшает работу прибора.

Для диодов также характерна большая чувствительность к излучениям.

При облучении диодов частицами и гамма квантами происходит деградация их вентильных свойств, т.е. уменьшение прямой и увеличение обратной проводимости [12,13]. Скорость деградации зависит от большого количества факторов, важнейшими из которых является: ширина базовой области диода Wб, ее удельное сопротивление б и значение прямого тока Iпр.

Проведение исследований по выявлению закономерностей изменения важнейших характеристик полупроводниковых изделий в результате облучения создает предпосылки для целенаправленного конструирования радиотехнической и другой аппаратуры с учетом специфических требований ее эксплуатации.

Радиационные испытания проводились с целью исследования работоспособности элементной базы в аппаратуре, разрабатываемой предприятиями РФ при воздействии спецфакторов. В процессе испытаний исследовались изменения основных электрических параметров полупроводниковых изделий.

Процессы, протекающие в полупроводниковых изделиях в условиях воздействия ионизирующих излучений, коренным образом отличаются от процессов старения в обычных условиях эксплуатации. Поэтому для проведения эксперимента все полупроводниковые изделия были разделены по группам различных серий и в соответствии с годом изготовления.

Испытаниям подвергались транзисторы выпуска 1976-82 г., диоды 1973-1982 г. выпуска, и стабилитроны -1980 г. выпуска.

Полупроводниковые изделия подвергались испытаниям по группам в соответствии с годом изготовления.

В пределах одного года изготовления элементы формировались в группы:

транзисторы: низкочастотные и высокочастотные аналоги, маломощные и мощные.

диоды: высокочастотные и низкочастотные аналоги (аналоги подбирались по Uобр и Iпр макс). Радиационные испытания проводились на доп

–  –  –

Приделы измерения параметра 1+h21е от 10 до 1000, погрешность измерения прибора ±5%

б) Л2-12-измеритель параметров высокочастотных транзисторов измеряемые параметры:

- модуль коэффициента усиления по току в схеме с общем эмиттером

–  –  –

на 0.5 с погрешностью ± 15% от конечного значения шкалы.

0-от 10 до 1000 с погрешностью ±10% от конечного значения шкалы.

Измерение параметров мощных транзисторов проводится на приборе Л2-42.

Пределы измерения параметров (h21е+1) от 5 до 500, с погрешностью ±4%.

Изменения параметров диодов и стабилитронов проводились на следующем приборе:

а) Л2-54- испытатель транзисторов и диодов малой и средней мощности.

Измеряемые параметры:

IR- обратный ток диода, от 0, 01 до 100мка ± 5% UF- прямое напряжение, от 0,1 до 3В ± 5% U - напряжение стабилизации от 3 до 30В± 5% Как уже отмечалось выше, в эксперименте исследовалось влияние гамма излучения Со60 на параметры транзисторов низкой и высокой частоты;

малой и большой мощности, а также диодов и стабилитронов.

Все полупроводниковые приборы были разбиты на группы по датам изготовления.

–  –  –

изменение коэффициента усиления равно 30% наблюдается у транзисторов с коэффициентом усиления 80, а максимальное изменение коэффициента усиления равное 70% у транзисторов с 185.

Рис. 1.2. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии ГТ813Б с изменением дозы гамма-облучения.

Рис. 1.3. Изменение коэффициента усиления в зависимости от дозы гамма-облучения для транзисторов серии П213А.

На рис.1.4 представлены данные о понижений коэффициента усиления h21е для транзисторов серии П605. В интервале доз 105-107 рад изменение коэффициента усиления входит в предел погрешности измерений прибора с дозы 107 рад происходит падение коэффициента усиления на 33%.

Для транзисторов серии ГТ806В (рис.1.5) максимальное изменение коэффициента усиления равно 60%, минимальное изменение равно 30% при дозе 108 рад. До дозы 107 рад изменение коэффициента усиления входит погрешность прибора.

На рис. 1.6 показано зависимость коэффициента усиления транзистора серии 2Т916А. Зависимость носит линейный характер. При конечной дозе 108 рад падение h21е составляет около 50%.

Данные об изменении коэффициента усиления транзисторов серии КТ928 показаны на рис. 1.7. Для КТ928Б при дозе 108 рад падения составило более 50%, а для КТ928А всего 30%. Такое различие является следствием различия исходных значений коэффициента усиления, т.е. чем меньше исходное значение h21е тем меньше изменение коэффициента усиления от дозы гамма- излучения.

На рис. 1.8 дано зависимость h21е транзисторов серии П702. До дозы 107 рад незначительные изменения коэффициента усиления входят в погрешность измерения. С дозы 107 значение резко падает. Максимальное изменение составляет 50%.

Транзисторы малой мощности. На рис.1.9 представлены дозовые зависимости коэффициента усиления транзисторов серии 1611 ОС.

Номинальные значение коэффициента усиления h21е выбранных образцов близки по величине. До дозе 107 изменения коэффициента усиления составили в среднем 15% (10% входит в погрешность прибора). При дозе 5.106 рад для большинства образцов наблюдается резкое увеличение коэффициента усиления, которое составляет в среднем 70% по сравнению с первоначальным значением.

Рис. 1.4. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии П605А и П605ОС с изменением дозы гамма-облучения.

Рис. 1.5. Изменение коэффициента усиления в зависимости от дозы гаммаоблучения для транзисторов серии ГТ806В (4-80г.).

Рис. 1.6. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии 2Т916А с изменением дозы гамма-облучения.

Рис. 1.7. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии КТ928В и КТ928А с изменением дозы гамма-облучения.

–  –  –

Рис. 1.9. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии 1611ОС с изменением дозы гамма-облучения.

Далее, с ростом дозы до 108 рад коэффициента усиления транзисторов серии 1611ОС уменьшается примерно с одинаковой скоростью от дозы к дозе. Максимальное уменьшение составляет 92%, что свидетельствует о деградации приборов, ведущей к полному отказу транзисторов в данной серии.

Изменение коэффициента усиления как для малых так для больших значений h21е входят в приделы погрешности прибора. Зависимость коэффициента усиления h21е от дозы - облучения для этих транзисторов показаны на рис.1.10.

Изменение коэффициента усиления h21е транзистора серии 2Т203Д различных дат изготовления с дозой гамма-облучения показаны на рис.1.11.

Зависимости изменения h21е является убивающими, причем от дозы к дозе скорость уменьшения h21е примерно одинакова как для малых, так и для больших номинальных значений. Выход за минимальное допустимые приделы пределы значений h21е наблюдается уже при дозах 5.105106 рад. Максимальное уменьшение h21е при дозе 108 рад, для все выборки по номиналам и датам составляет в среднем 90% и свидетельствует о полной деградаций выборов этой серии.

На рис. 1.12 показаны изменения коэффициента усиления тока h21е при облучении -квантами для транзисторов серии 2Т37ОА-1, изготовленных в

04. 1979 г. и в 01. 1980 г. Как и для всех биполярных транзисторов для данной серии также характерно убывание h21е при облучении, однако это убывание не столь резкое и не приводит к выходу за приделы допустимого минимума значений h21е. Так, максимальное уменьшение h21е при дозе 107 рад составило 43%. Кроме того, кратковременный отжиг при комнатной температуре, после дозы 107 рад восстановил значения h21е почти до первоначальных значений.

Изменение коэффициента усиления h21е при гамма-облучении для транзисторов серии ГТ308Б и ГТ308В показано на рис. 1.13. Для данной серии отличительный чертой является тот факт, что вплоть до дозы 107 рад Рис. 1.10. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии Т2А, Т2Б, Т2В, Т3Б с изменением дозы гамма-облучения.

Рис. 1.11. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии Т203Д в зависимости от дозы гамма-облучения.

Рис. 1.12. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии 2Т370А-1 с изменением дозы гамма-облучения.

Рис. 1.13. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии ГТ308Б и ГТ308В с изменением дозы гамма-облучения.

значения коэффициента усиления для различных доз остаются неизменными или меняются настолько мало, что величина изменения входит в пределы погрешности прибора. Поэтому приборы данной серии можно считать относительно устойчивыми к облучению в определенном интервале доз.

На рис.1.14 представлены дозовые зависимости коэффициента усиления h21е для транзисторов серии КТ358В образцов при облучении данной серии типично: с увеличением дозы коэффициент усиления уменьшается. Однако уменьшение h21е выражено не резко: скорость его изменения от дозы к дозе остается постоянной. Максимальное уменьшение при дозе 108 рад составляет в среднем 5%, причем наименьшие радиационные значения h21е не выходят за пределы минимально допустимой величины этого параметра для данной серии.

Диоды, диодные сборки, стабилитроны. Сравнивая дозовые зависимости Iобр диодов Д1601 ВОС можно отметить, что диоды 1975 г. изготовления имеют меньший разброс параметров, чем диоды 1974 г. изготовления. Резкое возрастание обратного тока Iобр наблюдается с дозой 107 рад для диодов 1974 г. Iобр. увеличивается в 3 раза, а для диодов 1975 г. в 3.5 раза.

Из приведенного рис. 1.15 можно заключить, что диоды Д106ВОС 1975г. имеют меньшую величину изменения Iобр., чем 1974 г. выпуска.

Из представленных на рис. 1.16 дозовых зависимости обратной тока Iобр ток диодов Д1601ГОС, можно выделить изделия с наиболее стабильными параметрами 1976 г. выпуска. При дозе 5.105 рад происходит увеличение Iобр в 1.7 раза для диодов 1981 г. выпуска и на 10% для 1973 г. выпуска. При дозе 108 для диодов 1973г. увеличение Iобр составляет 2.5 раз.

Диоды 1601И представлены двумя годами 1978-79 гг. (рис. 1.17). Для диодов 1978 г. в процессе эксперимента наблюдается 30% разброс параметров от исходного значения, а для дозы 108 рад эти изменения составляют около 10%. Диоды 1979 г. до дозы 107 рад имеют 10% разброс параметров т.е. практически остается постоянными и только при дозе 108 рад изменения составляют 25%. Серия диодов Д312 представлена на рис. 1.18.

Минимальный разброс параметра Iобр отмечен для диодов 1981 г. выпуска, для дозы 108 рад зависимость это носит линейный характер, а при 108 происходит увеличение в 2.5 раза по сравнению с исходным значением.

Рис. 1.14. Изменение коэффициента усиления транзисторов серии КТ358В с изменением дозы гамма-облучения.

–  –  –

Рис. 1.16. Зависимость обратного тока от дозы гамма-облучения для диодов Д1601ГОС.

Рис. 1.17. Зависимость обратного тока от дозы гамма-облучения для диодов серии Д1601И.

При дозе 6.105 рад для изделий Д312 практически никаких изменений не наблюдается.

При дальнейшем облучении для диодов выпуска 1979-80 г.г. происходит уменьшение Iобр до 30 мА.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 6 |
 
Похожие работы:

«ПАНЧЕНКО Алексей Викторович МАРКШЕЙДЕРСКАЯ ОЦЕНКА УСТОЙЧИВОСТИ КРИВОЛИНЕЙНОГО В ПЛАНЕ БОРТА КАРЬЕРА Специальность 25.00.16 – Горнопромышленная и нефтегазопромысловая геология, геофизика, маркшейдерское дело и геометрия недр Научный руководитель: доктор технических...»

«Куликов Виктор Александрович Электроразведочные технологии на этапах поиска и оценки рудных месторождений 25.00.10 – Геофизика, геофизические методы поисков полезных ископаемых Диссертация на соискание ученой степени доктора геолого-минералогических наук Москва – 2015 Оглавление ОГЛАВЛЕНИЕ СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В РАБОТЕ...»

«ЧАН ВАН ХАНЬ СИСТЕМНЫЙ АНАЛИЗ И РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ОПТИМИЗАЦИИ ПРОМЫШЛЕННЫХ БОРТОВЫХ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ СЕТЕВОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ СРЕДЫ Специальность 05.13.01 – «Системный анализ управление и обработка информации» ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата технических наук Научный руководитель: д.т.н., профессор Нгуен Куанг Тхыонг Москва 2015...»

«ЕМЕЛЬЯНОВ НИКИТА АЛЕКСАНДРОВИЧ Структура и диэлектрические свойства наночастиц BaTiO3 c модифицированной поверхностью и композитного материала на их основе Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: доктор технических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ Сизов А.С. Курск – 2015...»

«ЕМЕЛЬЯНОВ НИКИТА АЛЕКСАНДРОВИЧ Структура и диэлектрические свойства наночастиц BaTiO3 c модифицированной поверхностью и композитного материала на их основе Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: доктор технических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ Сизов А.С. Курск – 2015...»

«ДАУ Ши Хьеу ИССЛЕДОВАНИЯ ОСОБЕННОСТЕЙ ЗАРЯДОВОГО ТРАНСПОРТА И МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ НИЗКОРАЗМЕРНОГО АНТИФЕРРОМАГНЕТИКА LiCu2O2, СВЯЗАННЫХ С ЕГО ДОПИРОВАНИЕМ Специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук МОСКВА 2015 год Оглавление ВВЕДЕНИЕ Глава...»

«ЕМЕЛЬЯНОВ НИКИТА АЛЕКСАНДРОВИЧ Структура и диэлектрические свойства наночастиц BaTiO3 c модифицированной поверхностью и композитного материала на их основе Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: доктор технических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ Сизов А.С. Курск – 2015...»

«БАРСКАЯ ИРИНА ЮРЬЕВНА Исследование термои фотоиндуцированных магнитных аномалий в молекулярных магнетиках на основе меди и нитроксильных радикалов методом ЭПР Специальность 01.04.17 — «Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества» Диссертация на соискание учной степени кандидата физико-математических...»

«Черемхина Анастасия Петровна ОЦЕНКА ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ИЗМЕНЕНИЯ ИНЖЕНЕРНОГЕОЛОГИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ УСТОЙЧИВОСТИ ГИДРООТВАЛОВ ВСКРЫШНЫХ ПОРОД В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ЭТАПА ЭКСПЛУАТАЦИИ Специальность 25.00.16 Горнопромышленная и нефтегазопромысловая геология, геофизика,...»

«Ерохин Павел Сергеевич АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ КАК ИНСТРУМЕНТ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ БАКТЕРИЙ К ФАКТОРАМ БИОТИЧЕСКОЙ И АБИОТИЧЕСКОЙ ПРИРОДЫ 03.01.02 – биофизика ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: Профессор, Тучин доктор физико-математических наук Валерий...»

«СЕРГИНА Елена Викторовна КОМПЛЕКСНЫЙ МОНИТОРИНГ СОСТОЯНИЯ ПРИРОДНО-ТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ОТКРЫТОЙ РАЗРАБОТКИ УГОЛЬНЫХ МЕСТОРОЖДЕНИЙ Специальность: 25.00.16 – Горнопромышленная и нефтегазопромысловая геология, геофизика, маркшейдерское дело и геометрия недр Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук...»

«ГРИГОРЬЕВ НИКИТА ИГОРЕВИЧ ГАЗОДИНАМИКА И ТЕПЛООБМЕН В ВЫПУСКНОМ ТРУБОПРОВОДЕ ПОРШНЕВОГО ДВС Специальности: 01.04.14 – Теплофизика и теоретическая теплотехника; 05.04.02 – Тепловые двигатели ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата технических наук Научный руководитель: доктор...»

«ГЕРМАН СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ IN VITRO И IN VIVO ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ГИДРОЗОЛЕЙ МАГНЕТИТА, МАГНИТОЛИПОСОМ И МАГНИТНЫХ МИКРОКАПСУЛ МЕТОДОМ МАГНИТНО-РЕЗОНАНСНОЙ ТОМОГРАФИИ 03.01.02 – биофизика ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: доктор химических наук, доцент...»

«Янкин Сергей Сергеевич ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН С НЕОДНОРОДНОСТЯМИ, СРАВНИМЫМИ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ Специальность 01.04.03 — «радиофизика» Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: с.н.с., д.ф.-м.н. С.Г. Сучков Саратов – 2015 ОГЛАВЛЕНИЕ...»

«АЛБАНТОВА АНАСТАСИЯ АЛЕКСАНДРОВНА ВЛИЯНИЕ БИОЛОГИЧЕСКИ АКТИВНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С АНТИОКСИДАНТНОЙ И РОСТРЕГУЛИРУЮЩЕЙ АКТИВНОСТЬЮ НА КЛЕТОЧНЫЕ И СУБКЛЕТОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ 03.01.02 – Биофизика ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата биологических наук Научный руководитель: доктор биологических наук, ведущий научный сотрудник Миль Елена Михайловна...»

«Шахсинов Гаджи Шабанович НЕСТАЦИОНАРНЫЕ КИНЕТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ С УЧАСТИЕМ МЕТАСТАБИЛЬНЫХ АТОМОВ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ В ПЛАЗМЕННЫХ ВОЛНОВОДАХ 01.04.04 – физическая электроника ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: д. ф.-м. н., профессор Ашурбеков Назир Ашурбекович Научный консультант: д. ф.-м. н., профессор Иминов Кади Османович Махачкала – 2015 Оглавление ВВЕДЕНИЕ...»

«Цуканов Дмитрий Анатольевич ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОВОДИМОСТЬ НАНОСТРУКТУР НА РЕКОНСТРУИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ КРЕМНИЯ Специальность 01.04.10 – физика полупроводников Диссертация на соискание учёной степени доктора физико-математических наук Научный консультант: доктор физико-математических наук Зотов А.В. Владивосток СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...7 ГЛАВА 1. ПОВЕРХНОСТНЫЕ РЕКОНСТРУКЦИИ,...»

«КРУТОВА КСЕНИЯ АЛЕКСЕЕВНА ЧИСЛЕННОЕ РЕШЕНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ ДИНАМИЧЕСКИХ ЗАДАЧ ТЕОРИИ УПРУГОСТИ И ПЛАСТИЧНОСТИ НА ОСНОВЕ АЖУРНОЙ ВАРИАЦИОННО-РАЗНОСТНОЙ СХЕМЫ 01.02.04 Механика деформируемого твердого тела Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Научный руководитель: доктор физико-математических...»

«ЗАХАРОВ ФЁДОР НИКОЛАЕВИЧ ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ПРИ РАСПРОСТРАНЕНИИ УКВ В СЛУЧАЙНО-НЕОДНОРОДНОЙ ТРОПОСФЕРЕ НАД МОРСКОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ Специальность 01.04.03 – Радиофизика ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата технических наук Научный руководитель доктор технических...»

«ГУДИМОВА Екатерина Юрьевна СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ СОСТОЯНИЯ, ФОРМИРУЕМЫЕ ПУТЕМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ТАНТАЛОМ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ НИКЕЛИДА ТИТАНА, И ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЕВЫХ КОМПОЗИТОВ (TiNi-Ta)/TiNi 01.04.07 Физика конденсированного состояния Диссертация на соискание ученой степени кандидата...»









 
2016 www.konf.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Авторефераты, диссертации, конференции»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.